[参考译文] 反相栅极 MOSFET

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https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1289311/inverted-gate-mosfet

尊敬的戴尔斯：

我正在使用离散 MOSFET 进行新设计、但我不知道在哪里可以找到与反相栅极相关的离散 MOSFET。请参阅此原理图上的。我将仅寻找上部晶体管作为分立组件。你知道什么具体的类型吗?

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2012440 points

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伊凡、您好！

谢谢咨询。您可以在源端连接到 Vdd 的情况下对上部器件使用 P 沟道 FET。要导通器件、请将 GATE 引脚拉至低电平；要将其关断、请将 GATE 引脚上拉至 Vdd。 TI 拥有 P 沟道 FET 产品系列、可以通过下面的链接找到。如果您有任何问题、请查看并告诉我。

https://www.ti.com/power-management/mosfets/p-channel-transistors/products.html

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

0 admin 1 年多前

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您好、John：

感谢您的留言。如果我了解上方的原理图、当所有服贸总协定都连接到 V+时、两个 MOSFET 都会开启。这意味着、上部 MOSFET 是具有反相栅极的 P 沟道。这意味着当它由栅极上的 V+驱动时、我需要 P 沟道 MOSFET。它不是标准的 P 沟道 MOSFET。但可能是、我不理解该方案的想法。因为这意味着两个 MOSFET 将同时导通、从而使电源短路。我需要它。我的替代原理图是：

我认为您的链路中没有具有反相栅极的 P 沟道。

0 admin 1 年多前

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当栅极电压充分高于源极电压时、N 沟道 MOSFET 导通。
当栅极电压充分低于源极电压时、P 沟道 MOSFET 导通。

在您的问题电路中、源极连接到 VSS 和 Vdd；两个漏极都连接到 Q。同时只有一个 MOSFET 处于活动状态。

0 admin 1 年多前

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是的,谢谢:-)

0 admin 1 年多前

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伊万您好，感谢克莱门斯，

在原始电路图中、上部 MOSFET 是 P 沟道器件、下部 MOSFET 是 N 沟道。 PFET 的源极连接到 VDD、其漏极连接到 Q。NFET 的漏极连接到 Q、其源极连接到 VSS。栅极连接在一起、逻辑信号 A 应在 VDD (NFET 导通、PFET 关断、Q 下拉至 VSS)和 VSS (NFET 关断、PFET 导通、Q 上拉至 VDD)之间切换。如果您有其他问题、敬请告知。

谢谢。

约翰

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[参考译文] 反相栅极 MOSFET