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[参考译文] DS90LV804:由于内部端接而无法使用1.8V 电压控制 LVDS 缓冲器。

Guru**** 2502205 points
Other Parts Discussed in Thread: DS90LV804, DS15BR401

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1299391/ds90lv804-failed-to-use-1-8v-to-control-the-lvds-buffer-because-internal-termination

器件型号:DS90LV804
主题中讨论的其他器件: DS15BR401

我希望 使用1.8V 单端信号通过 如何将3.3V LVDS 缓冲器用作低压 LVDS 驱动器的方法(TI.com)生成 LVDS 信号。但我刚刚发现 DS90LV804具有内部端接、不应该被使用。 是否有任何改进方法可以使 DS90LV804在该方法下正常工作? 电路板已经准备就绪、所以我正在寻找修改电路板的解决方案。

我曾尝试将上拉和下拉电阻器更改为200欧姆。 控制信号为1.8V 200MHz。 然后、我在 DS90LV804正负输入之间测量了一个-450mV 至450mV 的方波。 我知道电流消耗会大幅增加、但系统电源就足够了。 我的解决方案中是否存在任何风险? 我需要将10nF 电容器更改为更大的电容器还是将其移除?

另一种方法是将 DS90LV804替换为  DS15BR401。 但它们不具有引脚对引脚兼容性。 DS90LV804的某些 GND 和 VDD 引脚是 DS15BR401中的 NC 引脚。 我查看了 E2E 表单中的几个讨论。 一种显示 NC 引脚连接在 DS15BR401中注意到、它可以直接替代 DS90LV804。 一个示例表明 NC 引脚用于测试、它无法直接替代 DS90LV804。 您能再次解释一下、哪一个是合理的?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我已将该主题分配给了一位专家、您将在业务结束时收到 CST 关于2023年12月5日 的回复。

    此致、

    埃里克·哈克特  

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    Unknown 说:
    是否有办法可以改进,使 DS90LV804在该方法下运行良好?

    当您在同相信号上输出高电平时、100欧姆电阻器将提高 Vref 信号。 我不确定单端输出上的 VOH 电平是多少、但如果它摆动至1.8V (我想知道 LVDS 驱动器非常强大、它的有效输出电阻为0)、并且'R2'上有一个200欧姆的电阻器(请参阅该应用手册)、 Vref 上的电压可能 高于1.8V 信号的2/3、或在高电平逻辑期间为1.2V。 我使用一个简单的仿真工具通过直流检测来展示这一点:

    这表明、在逻辑高电平期间、Vref 上的电压估计约为1.35V。

    如果在这种情况下、同相引脚需要驱动1.35V 以上至少100mV、以在 LVDS 缓冲器的电缆端发送逻辑高电平。  

    从 DS90LV804的数据表中、它似乎是1类接收器、其中 VTH 为100mV、VTL 为-100mV。 因此、LVDS 驱动器需要驱动到大约1.45V 才能有效驱动逻辑高电平。 (理想情况下、您希望有更大的裕度空间、但1.45V 是非反相侧的目标数字)。

    对于逻辑低电平、Vref 电压将转换为以下值(假设单端驱动器非常强大、其输出端几乎没有电阻):

    您可以看到、Vref 在这里大规模漂移到了450mV。 这意味着您的单端驱动器需要能够在同相接收器引脚上输出至少350mV 的电压。 (理想情况下您希望有更大的裕度、但350mV 是您希望确保的绝对数字)。  

    这意味着您的 LVDS 驱动器必须驱动1.45V 以上和0.35V 以下的电压、才能使此设置正常工作。  

    我曾尝试调整电阻分压器、但似乎改变同相侧的上拉电阻会使低逻辑更难以实现(具有500欧姆上拉电阻的 Vref 使 Vref 为211mV…… 期间禁用)。 此外、修改下拉电阻也使达到 VOH 电平变得更加困难。  

    在同相接收器引脚和 LVDS 驱动器之间放置任何电阻会对我们产生不利影响、我不建议这样做、因为它会使进入输入的输出侧的 VOL/VOH 电平变差。

    为了改进、也许可以从反相引脚添加一个~100 Ω 电阻器、而 Vref 点会更好。 那里的100欧姆电阻器将为低基准和高基准分别提供600mV 和1.2V 的 Vref。 不过、我认为这会影响 Vref 的转换时间。 我不知道这从系统级的影响...

    我需要将10nF 电容器更改为更大的电容器还是将其移除?

    在原始应用手册中、10nF 电容器用于尝试保持反相引脚上的电压稳定(防止噪声或电耦合到引脚中)。 当使用较大的电阻器时(如应用手册中以千欧为单位测量的范围)、反相引脚上的基准电压更容易受到噪声的影响、因此在这里、使用10nF 电容器能提供更多帮助。 在您使用200欧姆电阻器的电流设计中、电阻器更小(更强)、因此10nF 电容器不如电阻器为10k 的情况下有效。  

    由于您使用的器件在两个输入之间具有100欧姆的端接电阻、因此电容会减慢通信速度 (现在、当单端输出从低电平转换为高电平或从高电平转换为低电平时、您需要通过100欧姆电阻器对电容器进行充电/放电。 调整得更小有助于加快转换速度、但由于转换速度更快、可能会导致更多的信号振铃。  

    总结:可以减小电容器以加快数据速率。 我可能会先在不使用它的情况下进行实验、并验证两个输入信号振铃的范围、如果是、则可以使用电容器但修改值。 此处可能不需要10nF 电容、也许可以通过1nF 或100pF 电容摆脱此类电容。

    Unknown 说:
    DS90LV804的某些 GND 和 VDD 引脚是 DS15BR401中的 NC 引脚。 我查看了 E2E 表单中的几个讨论。 一种显示 NC 引脚连接在 DS15BR401中注意到、它可以直接替代 DS90LV804。 一个示例表明 NC 引脚用于测试、它无法直接替代 DS90LV804。 您能否再次澄清一下、哪一个是合理的?

    我找到了用于 DS15BR401的32引脚 QFN 封装的旧安装接合图、所有 N/C 引脚(1、17、18、19、22、 23和24)均未连接到器件的实际裸片。 (无电气连接)。 因此、我认为它们应该是引脚对引脚可交换的。  

    总体总结:如果信号摆动太大(希望您尽量减少同相引脚和单端驱动器之间的任何电感)、并且 LVDS 驱动器可以安全地获得低于0.35V 和高于1.45V 的电压、而不在这些电平下产生振铃、看起来您可以做到这一点。 似乎使用没有端接电阻器的器件会更容易(它使 Vref 在逻辑高电平和低电平状态下处于中等电压、例如0.9V、并具有更大的裕度-与端接型号不同、不会出现巨大的漂移)。  

    -鲍比

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    尊敬的 Bobby:

    非常感谢。 因此、我将使用200欧姆的电阻器解决方案来解决临时的电路板问题。 我可能会在下一个电路板中更改我的设计。  

    我可以在这里再问一个问题吗? 我可能会将设计更改为 LVPECL 输出、因为它需要更大的差动输出。  但我需要50通道 LVPECL 输出。 有没有任何模型支持多通道(我指的是四通道或更多通道) LVPECL 输出?  我可以将控制器更 改为差动或3.3V LVTTL 输出、因此我不需要担心 LVPECL 驱动器输入电平和内部端接问题。 我在 TI 搜索一些模型、但其中大多数模型是双通道模型。 这意味着我的设计至少需要25个,这是可怕的。

    为什么 LVPECL 输出缓冲器远小于 LVDS 输出缓冲器。 我是否需要关注 LVPECL 缓冲器的寿命?

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    您好、Wang、

    我看了一下、但似乎对于 LVPECL 发送器、我们最多只携带2个通道器件。  

    为什么 LVPECL 输出缓冲器远小于 LVDS 输出缓冲器。 我是否需要担心 LVPECL 缓冲器的生命周期?

    这与市场需求有关。 我相信、我们用于这些系列的大部分产品属于 LVDS 和 MLVDS 产品。 LVPECL 器件市场需求较少。 只要 LVPECL 器件采用最新的工艺节点技术(300mm 晶圆)制造、它们在可预见的未来应该是安全的。 TI 当前停止使用位于200mm 或更小晶圆中的旧器件、并且可能会也可能不会对300mm 晶圆技术进行刷新。 因此它实际上取决于特定的设备,有时也取决于特定的软件包(当领导层开始分析旧的设备是否需要更新的过程时,不受欢迎的软件包可能会停用)...

    -鲍比