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[参考译文] DP83825I:关于 EMI 改进的 DP83825IRMQR 查询

Guru**** 1127450 points
Other Parts Discussed in Thread: DP83825EVM
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1298385/dp83825i-dp83825irmqr-query-regarding-emi-improvement

器件型号:DP83825I
主题中讨论的其他器件:DP83825EVM
  • 在 DP83825IRMQR 的 EVK 中、建议使用2个4700pf 电容器。 无法理解使用1M 电容器的单个4700pf 本身会对 EMI 有所帮助。 为什么推荐2个?
  • 同时也说明了该网络如何帮助改善 EMI。
  • 共享 EVK BOM。
  • 在下方附加图像

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    尊敬的 SM Kalim:

    所示的接地电路为任何 EMI 噪声提供了更好的返回路径。

    我们知道需要更新 DP83825EVM 的用户指南、新版本将包含 BOM。 不过、EVM 的设计文件位于产品页面上、我可以根据这些文件生成 BOM。 请查看附件。

    e2e.ti.com/.../HSDC045A_2800_001_29005F00_BOM.xls

    此致、

    阿尔瓦罗

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    尊敬的 Alvaro:

    感谢您的回复!

    您的意思是、添加2组 RC 网络将为 EMI 提供更好的返回路径、单个网络不可能实现平稳过渡?  

    此外、我能否使用1M 和1000pF 的电容(2kV)值在 Chasis 和数字 GND 之间创建隔离?

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    尊敬的 SM Kalim:

    我相信我理解您现在的问题。 不需要两个 RC 接地网络。 我掩盖了您提供的第一个要点和图中的注释。  

    您是对的、使用单个 RC 网络是可能的。

    此致、

    阿尔瓦罗

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    尊敬的 Alvaro:

     能否使用1M 和1000pF 的电容(2kV)值在 Chasis 和数字 GND 之间实现隔离? 我相信、如果我使用1M 和1000pF、或使用1M 和4700pf、这两个逻辑都是一样的。

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    尊敬的 SM Kalim:  

    我认为1000pF 的电容应该没问题。 如果需要、可以在稍后测试时调整该值。 我想就上一次答复中的混乱情况表示歉意。

    我们建议在 接地和电路板接地之间放置两个此类 RC 电路。  

    从 SNLA387截取的屏幕截图、添加了红线、以显示电路应该在的位置。

    此致、

    阿尔瓦罗

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    尊敬的 Alvaro:

    在 EVK 中、我看到一个逻辑、无法理解、请指导我

    在 MAC 和 PHY (TX D0-RX D0)、(TX D1 - RX D1)和 (CRS DV - TX EN)之间存在一个33E 电阻。 这些电阻器的意义何在、我的设计中不安装该电阻器会发生什么。

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    尊敬的 SM Kalim:

    这些电阻器的作用是"回送"从电缆侧接收的数据。 在您的设计中、这些引脚不会相互连接、而是 TX 和 RX 引脚会连接到 MAC。

    此致、

    阿尔瓦罗

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    尊敬的 Alvaro:

    感谢您的反馈!

    如果我将33E 替换为22E、也能正常工作。 我计划为我的项目执行该操作以优化 BOM。

    请确认以上信息。

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    尊敬的 SM Kalim:

    您是否计划将信号环回? 我能问 您为什么要这样做吗? 如果连接到 MAC、则不需要这些串联电阻。

    此致、

    阿尔瓦罗

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    尊敬的 Alvaro:

    很抱歉造成混淆。

    我将 phy 仅与 MAC 连接、目的是实现反连接、并提供 环回选项。 我将22/33E 保持为 No mount。

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    您好、Kalim:

    明白了、祝您好运!

    此致、

    阿尔瓦罗  

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    尊敬的 Alvaro:

    希望您做得非常好!

    我们已根据我们的设计需求最终确定了自举引脚配置、您能否查看并告诉我们是否需要进行任何更改。

    此外、2.2k 电阻器已保留为 nm、用于引导配置。

    附加图像和 NM 表示无安装组件

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    您好!

    阿尔瓦罗是 ooo 和将回应他明天返回。

    此致、

    格罗姆

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    您好、Kalim:

    很抱歉耽误你的时间,谢谢你的耐心. 自举设置看起来不错、并且与您在表中提供的设置相匹配。 我建议包含 MDIO 的2.2 kΩ R1。 数据表显示它"需要时可添加"、但我会将其包含在您的板上。

    此致、

    阿尔瓦罗

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    谢谢您的支持、Alvaro。

    请查看以下问题:

    • 您能否指导我了解 pin3 (INTR/PWRD#)? 我能否将此引脚连接到 AP 的 GPIO 并提供上拉电阻作为 NM?
    • 我要将 PHY 设置为在从模式下工作、因此 PIN2 (50MHZOUT/LED2/S/RX_DV_EN)不会连接到 AP 的输入;它将悬空。 此外、我会将 AP 的引脚(50MHz O/P)连接到 PHY 的 XI 引脚、因为 AP 的 G2引脚(ENET_REF_CLK)仅为输出。
    • 此外、我在实现 RMII 时检查了应用手册、其中规定 PHY 的50MHz 引脚应连接到 AP 的输入。 但在本例中、这种情况是不可能的。 能否指导我、如果50MHz 引脚未连接到 AP、PHY 的行为是怎样的?
    • 请参阅突出显示的 表以更好地理解。
    • 请参考下面所附的图片、并注意先前的评论已被执行。

    应用处理器

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    您好、Kalim:

    我已经查看了您的问题、并在下面对它们做出了回答。 如果我漏掉了任何内容、请告诉我。

    您能指导我有关 pin3 (INTR/PWRD#)吗? 我可以将此引脚连接到 AP 的 GPIO 并提供上拉作为 NM 吗?

    是的、如果 安装了 R396、则可以按预期工作。

    我要将 PHY 设置为在从模式下工作,因此 PIN2 (50MHZOUT/LED2/S/RX_DV_EN)不会连接到 AP 的输入;它将悬空。 此外、我会将 AP 的引脚(50MHz O/P)连接到 PHY 的 XI 引脚、因为 AP 的 G2引脚(ENET_REF_CLK)仅为输出。
    此外、我在实施 RMII 时查看了应用手册、 并且规定 PHY 的50MHz 管脚应连接到 AP 的输入端。 但在本例中、这种情况是不可能的。 您能否指导我、如果50MHz 引脚未连接到 AP、PHY 的行为是怎样的?

    AP 正在向 PHY 的 XI 引脚提供50 MHz 时钟信号,这是可以 的。 我理解您的困惑、因此我想重申、PHY 可以使用 AP 提供的50 MHz 时钟。 在 RMII 从模式下、MAC 和 PHY 需要共享相同的时钟、但 数据表的第7.3.10节"简化媒体独立接口"隐藏一句话、表示 AP 可以为 PHY 提供时钟。

    此致、

    阿尔瓦罗

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    尊敬的 Alvaro:

    感谢您的支持

    因此、如果我将50MHz PIN2保持悬空、而不与 AP 连接、这样就不会影响 PHY 功能。 在这种情况下、phy 的这个引脚将充当 GPIO。如果我弄错了、请更正我。

    请查看之前回复中的最新共享图像。 如果您最后需要更正、请告诉我。

    您能否简单介绍一下您的陈述、 "是的、您可以、如果 安装了 R396、它将按预期工作。"

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kalim:

    当 PHY 处于 RMII 从模式时、引脚2默认用作 LED_2。 LED_2的功能可以通过寄存器0x460进行更改。

    我将在1月3日星期三结束前查看图片并提供更详细的反馈。

    此致、

    阿尔瓦罗

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    尊敬的 Alvaro:

    我期待您提供宝贵的反馈。

    此外、在安装25MHz 晶体时、您能否指导我在 PHY 的 XI 与 XO 引脚之间提供负载电阻器?

    通常、我们提供该电阻器来实现稳定性并控制来自晶体的时钟。 我提供了一个1M 电阻、即 R510 nm。 我们是否真的需要该电阻器?

    如果是、数据表中为什么没有提到它?

    此外、如果没有此电阻器、晶体是否会按预期工作?

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    您好、Kalim:

    负载电阻器和电容器因晶体的供应商型号而异。 数据表的第8.2.1.1.2节 对其进行了提及、并提供了指向另一份包含更详细信息的文档的链接。  

    至于图像复审、

    我建议包括:

    • R396
      • 将 INTR/PWRD 保持在已知的高电平状态、
    • 最初在您的图片和表格中、您需要的是 RMII 主设备、而原理图也是匹配的
      • 但是、如果您需要 RMII Slave、
        • 添加 R497
        • 拆下 R498  

    其他一切看起来都很好。  

    此致、

    阿尔瓦罗

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Alvaro:

    感谢您的反馈!

    请针对以下问题提供您的输入:

    • 根据选择文档、晶体的驱动器电平应最大为100uW ( 第3.9节)、但所选晶体为300uW。 您是否建议更改具有100uW DL 的晶体? 如果是、则建议器件型号。 附上电流所用器件的数据表作为参考。
    • 此外、串联电阻器 RS 建议在 X0引脚上添加。 请参见相同的第3.9节。 该串联电阻器对所有 TI PHY 有效、或仅对 DP83系列 PHY 有效。 计算已经完成、我们将获得358OMS、由于它不是标准、我们计划使用360欧姆1%电阻器。

    晶振器件型号- CS32-F1010FM08-25.000M-TR

    负载电容器-18PF

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    你好,Kalim!

    根据 选择文档,晶体的驱动器级别应最大为100uW (第3.9节),但所选晶体应为300uW。 您是否建议更改具有100uW DL 的晶体? 如果是、则建议器件型号。 附加当前所用零件的数据表以供参考。

    本节讲述了晶体的最大功率输出、以及如何避免超过该最大值(例如、如果最大驱动输出为100uW、不能始终持续消耗150uW、则会降低晶体性能)。 低至100uW 的驱动电平就是最低要求的一个例子。 如果您选择的晶体是300uW、那更好! 我查看了您提供的数据表、发现该晶体符合 DP83825数据表的表112中列出的规格

    至于  RS 值、360应该可以、但我想重申、对于晶体供应商来说、这是一个更好的问题。

    此致、

    阿尔瓦罗