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[参考译文] TUSB1002:交流耦合

Guru**** 1112110 points
Other Parts Discussed in Thread: TUSB1002, TUSB1002A, HD3SS3220
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1303537/tusb1002-ac-coupling

器件型号:TUSB1002
主题中讨论的其他器件:HD3SS3220

大家好!

我想让您查看 TUSB1002交流耦合的电路图。

在下面的简单电路图中设置交流耦合电容。 这种行为合适吗?

数据表在 RX 线路上有交流耦合电容器、但 EVM 在 RX 线路上没有交流耦合电容器。 哪一个是正确的? 请告诉我建议的电容器值。

此致、
石渡市

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    石渡山

    1.请改用 TUSB1002A、TUSB1002

    2.确保 HD3SS3220 RX1和 RX2是交流耦合的、建议值为0.22uF

    HD3SS3220和 TUSB1002A 直流耦合

    4. TUSB1002A RX2交流耦合是可选件。 如果使用、该值为0.33uF。

    谢谢

    大卫

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    作者:David San、

    非常感谢您的支持。

    我根据您的建议修改了下面的电路图。

    这样可以吗?

    此致、
    石渡市

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    石渡山

    请参阅下面的方框图。

    谢谢

    大卫

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    尊敬的 David-san:


    感谢您的支持。

    我还有一个问题。
    HD3SS320与 TUSB1002之间的哪一个连接正确?

    HD3SS320数据表(图8-2. DFP 应用使用 HD3SS3220DFP)、TX 相互连接、RX 相互连接。


    此致、
    石渡市

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    石渡山

    请参阅此 e2e 主题、 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1304559/hd3ss3220-about-high-speed-signals-on-the-type-c-side

    谢谢

    大卫

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    尊敬的 David-san:

    感谢您的回答。

    我还有一个问题。


    1)
    请告诉我 HD3SS3220和 TUSB1002之间发生直流耦合的原因。
    没有关于 HD3SS3220 TX 和 RX 的 Vdiff 和 Vcom 的说明。
    HD3SS3220的以下电气特性已经得到确认。


    2)
    请说明 TUSB1002和 CPU 之间 TX 和 Rx 的非对称电容分别为0.22uF 和0.33uF 的原因。
    另外、请介绍一下交流容量。 您可以从数据表中推荐的电路中了解到0.33uF 的 Rx。
    请告诉我为什么安装 Tx 为0.22uF。


    3)
    我有一个关于 USB Type-C 连接器和 HD3SS3220之间的 RX 的问题。
    您建议使用0.22uFw 作为 RX 交流耦合电容器。
    下面的 ECN 建议297-363nF。
    /cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/138/USB-3.1-ECN-Rx-AC-Coupling-Capacitor-Option.pdf
    请告诉我您为什么推荐0.22uF。


    此致、
    石渡市

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    您好、石渡山、

    大卫不在办公室,所以我会回答你的问题,直到他回来。

    1.要将 USB 线路上的总电容保持在 USB 的规格范围内。 在 HD3SS3220两侧使用电容器会将串联电容降至75nF (USB3信号的最低允许值)以下。 可以将多路复用器直流耦合到1002A、因为多路复用器只需将 TX 连接到 TX1/2、将 RX 连接到 RX1/2。 由于您在 TX1/2和 RX1/2上有电容器、因此可以将直流耦合到1002A。

    根据 USB 信号线允许的电容、TX 和 RX 电容的建议值有所不同。 USB 规范要求所有发送器(TX)都采用交流耦合、而接收器(RX)电容器是可选的。

    总电容必须保持在75 - 265nF 之间。 这包括 TX 侧的电容器和 RX 侧的电容器。 由于发送器通常在较低端上具有交流电容器(介于100nF - 220nF 之间)、因此 RX 应在较高端上具有电容(接近330nF)。 这就是总电容保持在75nF 以上、因为添加串联电容器时、总电容会下降。  

    3.根据插入的器件,220nF 或更高的 RX 电容器可以工作。 例如、如果器件 TX 上的交流电容器为220nF、则220nF RX 电容器可以、因为总电容仍高于75nF。 如果器件在发送器上具有容值较低的电容器、则值较大的 RX 电容器将会更好(通常为330nF)。

    此致!

    谢恩

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    尊敬的 Shane-San:

    感谢您的回答。

    我进一步思考了问题1)。
    直流耦合的原因是、使用交流耦合时、共模电压变为0V、并施加负功率。
    此时将超过绝对最大值。 我认为由于这一原因无法实现交流耦合、但我的理解是否正确?

    此致、
    石渡市

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    石渡山

    对于问题1、HD3SS3220需要偏置电压、设计人员必须将电容器放置在开关的一侧。 我们选择在 HD3SS3220和 连接器之间放置电容器、因为我们无法始终保证连接到连接器的外部器件的共模电压满足 HD3SS3220的偏置电压要求。  

    然后、我们使用 HD3SS3220和连接器之间的电容器、选择在 TUSB1002A 和 HD3SS3220之间进行直流耦合、以便 TUSB1002A 共模电压会偏置 HD3SS3220。 TUSB1002A 共模电压还满足 HD3SS3220偏置电压要求。

    如果您选择在开关的两侧放置偏置电阻器、则应提供外部偏置电压。 外部偏置电压必须满足 HD3SS3220偏置电压要求。

    谢谢

    大卫

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    尊敬的 David-san:

    感谢您的回答。

    我错误地配置了问题。 当我第一次问大卫-桑时,我倒转了主机和插座。 正确、这是更正后的连接图。

    您能否再次确认交流耦合电容值正确?

    4)在插座端,Tx 为0.22uF。 Rx 是 ECN 的0.33uF。 是这样吗?

    5) 5) Tx 和 Rx 与主机的连接为0.22uF。 是这样吗?

    此致、
    石渡市

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    石渡山

    连接看起来正确。

    谢谢

    大卫