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器件型号：TPD3S713-Q1 大家好、
我想了解 DP/DM 接口 TPD3S713-Q1中 ESD 保护单元的电气参数和 ESD 钳位波形。
我将 DP/DM 连接到可承受1kV ESD 的 SoC、并想知道 TPD3S713-Q1 DP/DM ESD 保护单元是否存在
可以将电压钳制到足够低的水平、以支持 SoC I/O 引脚。
此致、
大家好、
我想了解 DP/DM 接口 TPD3S713-Q1中 ESD 保护单元的电气参数和 ESD 钳位波形。
我将 DP/DM 连接到可承受1kV ESD 的 SoC、并想知道 TPD3S713-Q1 DP/DM ESD 保护单元是否存在
可以将电压钳制到足够低的水平、以支持 SoC I/O 引脚。
此致、
您好、辻山、
抱歉、我也无法从数据表中找到此数据、但我发现 DM_IN 和 DP_IN OVP 阈值大约为典型值3.9V。 电池短路测试结果表明、DP_OUT 达到大约5V。 我想 ESD 测试结果应该是相似的、对您来说可以吗？ 谢谢你。
此致、
国野市
