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器件型号：DS125BR111 您好、专家！
我在3.3V 模式下使用 DS125BR111、并询问去耦电容器的容值。
我查阅数据表、它被描述为"3.3V 模式、使用0.22uF 电容器去耦每个 VDD 引脚至 GND"。 温度传感器。 另一方面、它被描述为"将0.1μF 电容器靠近 VDD 引脚放置。 总电容应≦ 0.2uF"。 说明彼此不同。 哪一项是正确的？ 如果后面的测试是正确的、那么在大电容超过0.2uF 的情况下会发生什么情况。
此致、
Tetsuya、
