This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] DS160PR810EVM-RSC:关于参考板 DS160PR810EVM-RSC、我有一些问题

Guru**** 2390755 points
Other Parts Discussed in Thread: DS160PR410, DS160PR1601, DS160PR810, DS320PR1601, DS320PR410

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1337972/ds160pr810evm-rsc-regarding-the-reference-board-ds160pr810evm-rsc-i-have-some-question

器件型号:DS160PR810EVM-RSC
主题中讨论的其他器件:DS160PR810DS320PR1601DS320PR410、DS160PR410 、DS160PR1601

1.在本参考设计中、只有 PCIe 的数据信号已被转驱动、而 PCIe 的 clk 信号尚未经过转驱动。 REFCLK 的衰减是否相对低于数据信号的衰减、以便即使未像参考设计中那样进行处理、也可以正常使用 REFCLK? 此外、是否可以像数据信号那样使用转接驱动卡来增强 REFCLK?

2.单个 DS160PR810能否同时处理双端口 X4宽度 PCIe 链路、从而有效利用全部8个 LAN?

在参考设计中、为什么 J14的接地电阻与表2-1中所述的接地电阻不同?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、Jason、

    我们正在收集您的一些问题的答案、并将很快提供反馈。

    此致!
    大卫

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、Jason、

    Unknown 说:
    1. 在本参考设计中、只有 PCIe 的数据信号经过转驱动、而 PCIe 的 clk 信号未经过转接驱动。 REFCLK 的衰减是否相对低于数据信号的衰减、以便即使未像参考设计中那样进行处理、也可以正常使用 REFCLK? 另外,可以使用转接卡增强 REFCLK,就像数据信号一样?

    转接驱动器不用于驱动时钟信号。 100 MHz PCIe 时钟的频率远低于 PCIe 信号、并且在我使用的任何系统中都没有出现有意义的衰减。 因此、即使最终应用是大型服务器主板、我也不会看到需要更改时钟信号。 据我所知、没有专门用于时钟信号和使用 PCIe/以太网/等的转接驱动器产品。 转接驱动器不工作、因为它们所工作的频率区域不适合时钟信号。

    Unknown 说:
    2. 单个 DS160PR810能否同时处理双端口 X4宽度 PCIe 链路、从而有效利用全部8个 LAN?

    DS160PR810上的全部8个通道都朝向一个方向、因此从技术上讲、单个 DS160PR810器件无法单独支持任何链路、因为链路需要两个通信方向。 不过、如果您的应用想法是下游方向有1个 DS160PR810、上游方向有1个 DS160PR810、那么这样的系统可以顺利分叉到两个 x4链路中。

    目前 TI 唯一的双向转接驱动器是16通道的 DS320PR1601或者类似的第4代版本的 DS160PR1601 (每个方向16个通道、一个芯片上总共32个通道)、这个尺寸还是挺大的。 如果您的应用想法是在同一个芯片中存在4个下游通道和4个上游通道、我知道唯一的替代方法是使用两个不同的 DS160PR410或 DS320PR410 4通道转接驱动器、每个方向分别处理一个转接驱动器。 这可能比单个 DS160PR810尺寸的芯片占用略多的电路板空间、但由于封装较小、性能可能会更好、并且我们许多使用 x4 SSD 的客户以这种方式使用4通道转接驱动器。

    [quote userid="492234" url="~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1337972/ds160pr810evm-rsc-regarding-the-reference-board-ds160pr810evm-rsc-i-have-some-question ">3.在参考设计中、为什么 J14的接地电阻与表2-1中描述的接地电阻不同?

    在 EVM 原理图上、我看到 J14 (GAIN_DS、下游器件的增益设置)具有以下接地母板:

    数据表的表2-1中表示:

    产生差异的原因是 EVM 将属于两个下游 DS160PR810器件的所有四个增益引脚连接到单个跳线 J14。 器件上的每个四级控制引脚(如增益)都有一个内部电压比较器、比较器可以大致"读取"施加到它们的自举电阻。 该 EVM 希望使用相同的设置同时控制四个增益引脚、并将它们连接到同一节点、因此可以使用并联逻辑来简化电阻器搭接:

    因此、您可以看到1k / 4 ≈249  欧姆、13k / 4≈3.24k 欧姆、59k / 4≈14.7k 欧姆。

    TI 第4代/第5代 PCIe 转接驱动器 EVM 使用了此方法来节省布板空间并简化 EVM 的操作、这可能与全尺寸客户设计相关、也可能不相关、但最好知道此方法。

    _______________________

    如果您对 DS160PR810或 EVM 参考设计有其他问题、请随时继续阅读此主题。 如果您将来正在使用 DS160PR810或其他 TI 器件进行某个项目、您可以将任何问题或原理图转发给 TI FAE 联系人、我们很乐意提供帮助或进行审阅。

    此致!

    Evan Su