主题中讨论的其他器件:TUSB1002、 HD3SS3212
您好!
二极管的 PI2USB4122具有 NRND 状态、我们正在寻找等效器件。
您是否有支持 USB3.x 的4:1 MUX 替代产品系列? 我在 TI store 中找不到它。
此外、如果尚未发布、我是否需要合并多个 HD3SS3415 (2:1 MUX)以使其成为4:1? 在这种情况下、是否需要 TUSB1002等信号校正 IC?
谢谢。
科诺
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您好!
二极管的 PI2USB4122具有 NRND 状态、我们正在寻找等效器件。
您是否有支持 USB3.x 的4:1 MUX 替代产品系列? 我在 TI store 中找不到它。
此外、如果尚未发布、我是否需要合并多个 HD3SS3415 (2:1 MUX)以使其成为4:1? 在这种情况下、是否需要 TUSB1002等信号校正 IC?
谢谢。
科诺
您好、Brian、
我正在考虑采用 HD3SS3415 + HD3SS3212的双芯片配置。
第1季度
连接多个级时、应将交流耦合电容器插入到哪里? 最好将其放在 HD3SS3415和 HD3SS3212之间吗?
第2季度
我们应该如何考虑信号损失和补偿?
第3季度
查看 HD3SS3415的数据表可以看到插入损耗说明=-1.5dB。 如何查看该值? 是不是一个即使在双芯片配置中添加了损耗也没有任何影响的值?
例如、如果将多级配置增加到8:1、将产生多大的影响?
谢谢。
科诺
您好,Conor
对于 Q1:更喜欢在多路复用器和连接器之间放置交流电容器、而不是在两个多路复用器之间放置。
对于 Q2:您需要为 mux1和 mux2添加插入损耗、例如、在5GHz 下、mux1的插入损耗为0.5dB、mux2的插入损耗为0.6db。 因此、5GHz 时的总插入损耗为1.1db。
对于 Q3:与 Q2相同、-1.5dB 插入损耗意味着在4Ghz 时输出信号和输入信号之间存在1.5dB 的损耗。
对于多级、需要在相同频率下从每一级增加插入损耗。
此致
布赖恩