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[参考译文] SN75LVCP600S：SN75LVCP600S 与 EVM -交流耦合10nF 与100nF

admin
Guru**** 2522770 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1347304/sn75lvcp600s-sn75lvcp600s-vs-evm---ac-coupling-10nf-vs-100nf

器件型号：SN75LVCP600S

您好！

此原理图出现了一些问题：

它能很好地与 SATA Gen2 3Gbps 配合使用、但在 SATA Gen3 6Gbps 时会出现很多错误。
此 PCB 放置在 ComExpress 板和 SATA SSD (电缆+机架)之间。

我现在 RX 通道上缺少一些电容器、但数据表上的10nF 用于交流耦合、而评估板上使用了100nF。
SATA 版本3.3显示最大为12nF。

有人能说为什么评估板上有100nF 吗？
我是不是在想什么? 它使用100nF 时效果是否更好？ 还是个错误？

谢谢！

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    TI__Guru**** 2522770 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    周老师、您好！

    同意。 10nF 更像它。 与10nF 相比、100nF 有两个副作用：它使数据表中的频率成分更低。 其次、它可以用于更好地匹配奈奎斯特区域的布线阻抗。 建议使用10nF、然后在检查 SATA Gen3功能时将100nF 保留在头脑中。  

    由于它与 SATA 3位错误相关、建议先使用最小 EQ、然后增加-在扫描 EQ 时不使用 DE。 之后、您可以启用 DE 并再次以最小 EQ 开始、然后增大。

    此致、Nasser

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    TI__Guru**** 2522770 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Nasser、感谢您的澄清。

    我们了解到 ComExpress 卡的销售商在 TX/RX 两侧均放置了220nF、但我们不知道 SATA 磁盘上是否存在交流耦合。

    如果我理解正确、我们需要输入10nF 来降低所有 TX/RX"主机"/"器件"通道上的容量<12nF？

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    TI__Guru**** 2522770 points
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    周老师、您好！

    通常、这是在 TX 端完成的。 很可能器件的 TX 驱动 RX 也已经配备了这个交流耦合电容。 如果不是这样、也将其放在 RX 上是一个好主意、主要目的是隔离共模电压并减少潜在的电源定序副作用。

    此致、Nasser

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    TI__Guru**** 2522770 points
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    非常感谢您提供的所有这些信息：)