主题中讨论的其他器件: TPD4E1B06
您好!
我们正在使用 TI AFE 构建 EEG 器件、因此输入泄漏电流对于我们的应用至关重要。 我们目前正在研究 TI 提供的两款 ESD 器件- TPD4E110和 TPD4E1B06。 后者具有更好的最大泄漏电流规格(0.5与1nA)、但是前者的"典型"泄漏电流仅为20pA! 您能否提供有关 TPD4E110泄漏电流分布的直方图或一般指导? 这一典型值是如何得出的? 同样、没有为 TPD4E1B06指定"典型"泄漏、因此详细了解该器件对于我们比较这两款器件非常有帮助。
谢谢!
爱德华