[参考译文] HD3SS3412：HD3SS3412功率耗散变化

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https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1361273/hd3ss3412-hd3ss3412-power-dissipation-changes

器件型号：HD3SS3412

您好、TI 团队、

我想问一下、为什么器件上的功耗变为最小值= 2.8mW、最大值= 4.4mW？原始额定值为最小值= 15.5mW、最大值= 21.6mW。

我们在电路板中使用了该 IC、并创建了校验器来检查器件的电流。最初、我们将限制设置为2mA 和6mA。遗憾的是、我们制造了一个新的电路板、在下限值上失败、因为测量电流仅为1mA。我们已多次替换 IC、但仍读数为1mA。交换通过和失败的 IC 以及已传输的故障。查看数据表后、功率耗散发生变化、这就是电流变为仅1mA 的原因。我希望你会注意到我的询问。

谢谢。

吉安

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2553260 points

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尊敬的 Cian：

我认为这是由于器件设计的变化或测量此参数的测试设置的变化而发生的。如果您愿意、我可以向我们的系统工程师跟进此问题。

您是否能够降低电流测量器件的限制？

此致！

谢恩

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2553260 points

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尊敬的 Shane：

您可以慢慢享用。如果我们可以在设备上共享这些更改、我会很乐意。

我只需根据数据表上的新规格将下限更改为0.848mA = 2.8mW/3.3V。

谢谢。

吉安

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2553260 points

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尊敬的 Cian：

我跟踪了有关这方面的系统。早在2015年、我们就更改了该器件内部的 IC、从而实现了更宽的温度范围和更低的功率耗散。您可以在此处的数据表中看到更改：

如果您有任何其他问题、请告诉我。

此致！

谢恩

0 admin 1 年多前

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感谢你的评分我们有一个跟进问题。当您说"HD3SS3412 IC 内部"时、您是指 HD3SS3412是混合器件还是仅有改变的裸片？

另一个问题是这个。我们想知道将 IC 修订版本从修订版本 E 更改为 F 背后的触发因素吗？

是否有需要更新的设计流程、或者这是否是客户触发修订版 E 到 F 的更改？或别的什么东西？？

我们想知道。谢谢。

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2553260 points

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尊敬的 Luciano：

Unknown 说：
当您说"HD3SS3412"时,您是说 IC Inside"是指 HD3SS3412是混合设备还是仅有更改的裸片吗?

仅更改了内部裸片。

Unknown 说：
我们想知道 IC 修订版本从修订版 E 更改为 F 背后的触发因素吗？

我能问您为什么需要这些信息吗？我自己不知道改变的原因。

Unknown 说：
是否有需要更新的设计流程[/报价]
器件封装并未从 Rev E 更改为 Rev F、因此这些版本之间不需要更改设计。

此致！

谢恩

0 admin 1 年多前

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尊敬的 Shane：

由于功耗降低了近500%、我们对于器件裸片的变化也不感到意外。
如果旧器件不再可用、我们如何确保新裸片从长远来看不会损坏。
这就是为什么我们对功耗降低500%的原因感到好奇？
使用新芯片时器件的性能是否会受到影响？还是仅更改控制引脚电路？

谢谢。
吉安

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2553260 points

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尊敬的 Luciano：

Unknown 说：
使用新芯片时受影响的设备的性能是否？

数据表中的值说明了该器件的性能。器件性能从 Rev E 更改为 Rev F 时、唯一的改变就是功率耗散降低和温度范围增加。除此之外、器件性能不受新芯片的影响。

Unknown 说：
如果旧部件不再可用，我们如何确保新裸片长期不会损坏。

如果您担心长期故障率、可以使用我们的 FIT 估算器工具来查看此器件的测试故障率。

此致！

谢恩

0 admin 1 年多前

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尊敬的 Shane：

非常感谢您的观看。

谢谢。

吉安

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