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[参考译文] SN65DP159:VDD / VCC 启动时间与 VDD / VCC 斜升时间之间的关系

Guru**** 2057980 points
Other Parts Discussed in Thread: SN65DP159
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1367209/sn65dp159-relationship-between-vdd-vcc-startup-time-and-vdd-vcc-ramp-up-time

器件型号:SN65DP159

工具与软件:

尊敬的专家:

我的客户正在考虑 SN65DP159、并有一个问题。

如果您能提供建议、我将不胜感激。

——

关于 SN65DP159、

数据表 P.20 9.3.2运行时序
下面列出了关于 VCC / VDD 启动的两条规定。
① VCC / VDD 启动时间差为200us 或更低
② VCC / VDD 斜升时间为100ms 或更短

②、为了抑制浪涌电流、请将 Δ t 设置得尽可能接近100ms。
我想设计它,但它将很难跟随①.
(由于是200us、持续100ms、因此相对值非常小。)
请您告诉我不观察①是否会造成伤害?

——

感谢您提前提供的巨大帮助。

此致、

真一市

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    新一三

    DP159数据表中提供了一条注释:"在 VDD 和 VCC 稳定之前、保持 OE 为低电平、从而避免了图22所示的任何时序要求。"  

    因此、只要可以满足 Td2、就应该没问题。

    谢谢

    大卫

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    尊敬的 David:

    感谢您的答复。

    有道理。

    使用 OE 似乎可以减轻客户的顾虑。

    我将与客户分享。

    感谢您的大力帮助与合作。

    此致、

    真一市

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    新一三

    OE 引脚已经有内部200k 上拉电阻、因此、被动复位电路只需要一个外部下拉电容器。 有关更多详细实施信息、请参阅第9.3.1节。

    谢谢

    大卫