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器件型号：DP83826E 主题中讨论的其他器件： AM5716
工具与软件：
通常、目前没有必要在电源输入引脚上使用四个不同的电容值。 数据表显示了使用10、1、0.1、0.01 μ F 电容值。
由于在最坏的情况下、IC 的电流消耗非常小、为55ma、15mA 模拟和数字、因此即使是10uF 的使用也显得多余。
我想知道为什么使用四个电容值以及如何确定这些值？
我想在 VDDA 和 VDDIO 输入端使用引脚3和17上均为0.1uF 的4.7uF 电容器。
铁氧体磁珠是可选的、但由于该 IC 上的电流消耗很小、因此会有所帮助。
请告诉我您关于使用大容量电容器以及将组件数量减少到2而不是4的建议。
DP83826E 具有可生成电源轨的内部 LDO。 "。 内部 LDO 生成器件运行所需的所有电源轨"
所有电容器值似乎都略高于顶部。
此外、MII 实际上并不需要串联电阻器、尤其是在路径较短的情况下。
我看到过在 RX 线路和时钟线路上使用串联电阻器的 EVM 和其他设计。
虽然这可能有助于降低 EMI、但 MII 在25MHz 下相当慢、上升时间约为1n 秒
请注意如果上升和下降时间在数据表或其他内容中、我找不到此规格。
目标是减少元件数量。
此 IC 与 AM5716 Sitara 处理器配合使用。
非常感谢您的建议。
此致、
David
