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[参考译文] TUSB1142：向数据表 SLLSFL2A 提问、2024年5月修订

admin
Guru**** 1706760 points
Other Parts Discussed in Thread: TUSB1142, TPS629206, TUSB1142EVM
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1393724/tusb1142-question-to-datasheet-sllsfl2a-revised-may-2024

器件型号：TUSB1142
主题中讨论的其他器件： TPS629206、

工具与软件：

您好！

我们 使用 TUSB1142实施 USB 3.2 GEN2x1多路复用器/转接驱动器。  在阅读产品说明书后、我不是很清楚以下几点：

5.3建议运行条件： "V (PSN) VCC 引脚上的电源噪声(小于4MHz)< 50mVpp"
-这意味着50mVpp 是否允许在低于4MHz 的频率范围内? 如果是、允许哪个纹波电压高于4MHz？ 您是否有 TUSB1142的 PSRR 值？
 (目标是确定基于 TPS629206的直流/直流转换器是否实用、或者我们是否需要 LDO (不青睐)。)

数据表第一页是"高级 USB 电源管理–工作状态：550mW (典型值)"和" 5.5电源特性"一章、PACTIVE-USB-1Port = 275mW (典型值)
-在哪种情况下 TUSB1142消耗550mW (典型)? (我假设未选择的通道的驱动器和接收器将被关闭)
-最大电源电流是多少? (设计电源)

8.2.1设计要求、 图8-1 /表8-1
- 在哪些情况下,建议使用可选的交流耦合电容器?
(我已在另一篇论坛博文中看到7268.USB 3.1 ECN Rx 交流耦 合电容器 Option.pdf、但不知道为什么要添加交流耦合电容器或为什么不添加交流耦合电容器)

谢谢、Michael

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    TI__Guru**** 1706760 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Michael：

    这是否意味着在低于4MHz 的频率范围内允许50mVpp？

    是的、这是正确的。 高于4MHz、我建议在电源上保持相同的噪声量(<50mVpp)。 可以使用去耦电容器来帮助降低 VCC 引脚附近的电源噪声。 我们通常建议在每个 VCC 引脚附近使用一个0.1uF 电容器连接到 GND、并在器件附近使用一个1uF 电容器连接到 GND、以处理高频噪声。 对于低频噪声、您可以在电源附近添加一个更大的10 μ F 电容器。

    在这种情况下、TUSB1142的功耗是550mW (典型值)？

    我相信这是 数据表中的一个拼写错误。 TUSB1142只能在单端口模式下运行、如所示 有功功功功功率预计约为275mW . 550mW 适用于双端口应用、该部件不支持。

     在哪些情况下建议使用可选的交流耦合电容器？

    可选的 RX 电容器有助于保护我们器件上的 RX 引脚免受 ESD 冲击、并消除 RX 线路上任何不必要的共模偏置。 您可以看到 ECN 中的原因：

    此致！

    Shane

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    TI__Guru**** 1706760 points
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    Shane、您好

    感谢您的回答、这让您感觉非常清楚。

    但 仍然存在与电源有关的问题。 TUSB1142消耗电流的频率高达哪个频率(以10Gbps 的速率驱动数据线时)？
    我可以使用0201尺寸100nF 的电容器、将它们放置 在  TUSB1142的电源引脚旁边、并使用焊盘中的过孔将它们连接到电源和平面。 但尽管如此、它们的可用性将受限于某些100MHz。 PCB 会很小、因此平面电容 受限。  

    高于某些100MHz、高达10GHz 的频率范围会怎样？ 这是一个问题吗？ 如果是、是否有关于 此范围内去耦系统最大阻抗的建议？

    谢谢、Michael

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    TI__Guru**** 1706760 points
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    您好、Michael：

    TUSB1142消耗电流的最高频率

    1142将在任何频率下消耗电流并产生一些噪声。 关键是将噪声保持在50mVpp 阈值以下。

    高于某些100MHz (高达10GHz)的频率范围如何？ 这是一个问题吗？ [报价]

    如果电压纹波高于50mVpp、则需要注意这一点。

    如果是、是否有关于 此范围内去耦系统最大阻抗的建议？

    我们不提供有关最大阻抗的建议。 正如我所说、我们通常建议向 GND 添加0.1uF 和1uF 电容器、以减轻该器件附近的电压纹波。 如果 担心 高频噪声、也可以添加更小的电容器(0.01uF)。 最好将其放置在靠近器件的位置。

    如果您的电源在5 - 10GHz 频率下有噪声、请确保隔离 PCB 上的 SuperSpeed 线路、以便不存在干扰。 在电源线和信号线之间放置 GND 平面是一种实现此目的的好方法。

    此致！

    Shane

    [/quote]
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    TI__Guru**** 1706760 points
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    感谢您的回答

    澄清一下：我们的 电源在5 - 10GHz 下没有噪声、但它肯定无法在此频率范围内提供电流。  

    我将遵守参考设计 TUSB1142EVM。 很遗憾、我无法找到 BOM (TUSB1142 EVM 用户指南中只有这个略微模糊的原理图)。
    -使用了哪种类型的电容器(制造商器件型号)? 电源去耦以及信号线中的电流？
    -使用了哪一层堆栈?
    并且 EVM 上是否进行了纹波测量？

    谢谢、Michael

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    TI__Guru**** 1706760 points
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    Michael

    对于10uF 电容器、我们使用 GRM188R61C106MA73D ；对于0.1uF、我们使用 GRM155R71E104KE14D。

    EVM 设计是一个6层电路板、其接地平面与电源平面相邻、可提供额外的低频电源噪声滤除。 但我们尚未在 EVM 上完成电源纹波测量。

    谢谢

    David  

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    TI__Guru**** 1706760 points
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    谢谢大卫。