工具与软件：
目前电源是板载的、VIO 由 MOS 管控制、经过 Vsup 之后加电、好像比 Vccout 晚加电、不知道这是否会有问题。 但您的规格并未指定上升时间
现在芯片 Vccout=5V、FLT=1.5V、并且晶振频率也是40MHz、4分钟也可以正常进入睡眠模式。 但存在问题、在待机状态下、我们会将不同的值读取并写入同一地址寄存器、有时会导致大量配置失败。
Brian、您好！
没有特定的上电时序要求。 器件的大部分由 VSUP 电源和几个内部 LDO 供电。 VIO 电源仅用于设置数字 IO 电压电平并为 OSC 时钟电路供电。 由于数字内核要求 OSC 时钟处于活动状态、因此器件只有在 VSUP 和 VIO 电源都开启并处于适当电平后才能完全正常工作。
您能否更具体地谈谈寄存器读取/写入问题、并在这些日志中添加有关您尝试显示内容的更多信息？ 是所有读数都不一致、还是只是特定读数？
我只猜测我要查看的内容。 它似乎有一个多字传输尝试基于"Element Size 2"语句,然后8字节的数据显示在"tcan4x5x_wrtie_fifo : 61 81 74 01 05 10 00 00 00 34 00 00"行。 但是、我看到的潜在问题是长度字段仍设置为"01"、这表示 SPI 事务中只预期有4个字节的数据。 因此、当长度= 1时传递8个字节的数据将导致 SPI 错误。
此致、
Jonathan
事实上、您标注的图形是正常的、使用4550 EVM flyline 寄存器读取和写入没有问题。 但是、如果采用我们自己的设计、4550电路将存在不一致的读写问题。 这是最关键的问题、据软件工程师说、会导致芯片初始化不完整、还不清楚芯片当前的状态是什么、是不是很异常？
你(Jonathan)好
那么、此日志是否表示芯片已进入休眠状态？ 这是我上电四分钟后看到的日志、晶振没有振动、FLTR 和 Vccout 电压不存在。
然后我想确认芯片的哪个状态不支持写入、例如睡眠状态或其他条件？
稍后将在此处更新捕获的 SPI 波形。
感谢您的支持。
您好、Jonahtan
当我将演示板与我选择的晶振参数进行比较时。 我发现了一个问题、首先、晶振冷启动时间、频率偏移、时序测试都差不多了。 然而、我看到 VIO 上电后的晶振荡时间是不一样的、所以现在我想知道这是晶振原因还是会有其他可能的影响。
在电路板上、VIO 通电后、晶体几乎会立即振动
但在我们电路板上、晶振在 VIO 上电后大约50ms 开始振动、不知道会有时序问题、请看一下。
那么、我想问 tCRYSTAL 此时是否有任何要求。 我在规格中找不到它
此致、
Bryan
尊敬的 Bryan：
启动时间取决于多个因素、并且特定于应用。 可能需要对负载电容或串联电阻进行一些调整。
一般而言、启动时发生的情况是、一旦 VSUP 和 VIO 电源处于正确电平、TCAN4550就会开始从 OSC1引脚拉取电流并为负载电容充电。 电容器充满电后、晶体将开始振荡、方法是对充当电感器的晶体任一侧的电容进行充电/放电。 振荡启动后、TCAN4550的自动增益控制和峰值检测电路会将电流量降低到较低水平、这样就只需替换通过电路寄生电阻损失的电荷。 这个较低电平的电流只是为了维持振荡、但一旦开始、峰峰值波形就由负载电容器通过晶体进行充电和放电产生。
较长的启动时间通常来自晶体上的较大负载电容或较低的电流水平、因为该初始电荷本质上是 RC Tau 常数。 我不知道您的晶体电路是什么样子的、或者您所使用的元件的值是什么、但您可以尝试对负载电容器或串联电阻进行一些调整。
此致、
Jonathan
您好、Jonahtan
我知道具体的意思、但我实际要求的不是启动时间、而是从 VIO 上电到晶体开始振动的时间、这是水晶所示的时间。 时间上有很大的差异。 在我们电路板上的 VIO 上电后约50ms、器件开始振动、但您的晶体几乎在与 VIO 同步的情况下振动
此致、
Bryan
