[参考译文] DS90C032QML：DS90C032QML 位移损坏报告/特性？

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器件型号：DS90C032QML

工具与软件：

我正在记录对我的飞行设计的一些辐射影响、并且需要帮助对几个器件进行位移损伤评估。是否提供了有关以下器件的任何数据？如果不是、您能否告诉我该器件是否因其结构而具有位移损伤的固有抗扰性。 CMOS、双极、MOS。

5962L9583401VFA DS90C032WLQMLV

5962R9583301VFA DS90C031W-QMLV

0 admin 1 年多前

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尊敬的 John：

如果进行这种类型的评估、这些将是拥有数据的资源。

此致、Amy

0 admin 1 年多前

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我知道这些报告。他们没有回答我的问题。位移损伤用中子辐照进行测试。

0 admin 1 年多前

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尊敬的 John：

最近几年、TI 已经开始测试所有新产品上的位移损伤。但是、它是一款较旧的器件。如果报告不存在、则很可能已测试。

此致、Amy

0 admin 1 年多前

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Amy、

根据辐射效应工程师告诉我的情况、CMOS 器件在本质上不易受到位移损伤的影响。

感谢您的帮助。

此致、John

0 admin 1 年多前

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尊敬的 John：

谢谢、如有任何其他问题、请联系我们！ -Amy

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