[参考译文] TPD4E02B04：电压

admin

Guru**** 2387830 points

Other Parts Discussed in Thread: TPD4E02B04

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：TPD4E02B04
Thread 中讨论的其他零件: Strike

工具与软件：

Dears、

TI 的 ESD 产品 TPD4E02B04是在 ESD 的两端使用接触静电时的实际嵌入式电压波形图。问题是、为什么 ESD 两端的嵌入电压从正160V 变为负70V？ ESD 两端在 t1到 t3时刻的插入电压下降的原因是、在 ESD 将静电释放到 GND 后、插入电压会下降。

请帮助检查一下。

谢谢

0 admin 1 年多前

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嗨、Ning、

我可能会误解您的问题、因此如果我错了、请更正我。对于 TPD4E02B04、我们拥有+8kV ESD 波形和-8kV ESD 波形。这里显示了器件具有正 ESD 冲击和负 ESD 冲击的响应。

我们还包括插入损耗图。通常、TPD4E02B04等低电容器件能够支持更高的数据速率。 TPD4E02B04能够支持高达20Gbps 的数据速度。

此致！

McKenzie

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