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[参考译文] LM5177:针对1000W 设计

Guru**** 1797640 points
Other Parts Discussed in Thread: LMK6C, LM5177, CD4015B, LMK01801
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1417449/lm5177-for-1000w-design

器件型号:LM5177
主题中讨论的其他器件: CD4015BLMK01801、LMK6C

工具与软件:

您好!

TI 是否有降压/升压控制器可以支持以下设计? 谢谢!

输入电压:10-50V

输出电压:12V

Pout 1000W

谢谢!

Jeff

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    您好!

    我发现 LM5177可以使用并联(多相)工作、但我是否可以知道最大并联限制?

    有多少 LM5177可以并联? 是否可以 并联 4个 LM5177以支持1000W (83A)?

    谢谢!

    Jeff

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    尊敬的 Jeff:

    感谢您使用 E2E。

    理论上、只要 每个相位的 COMP、SS/ATRACK 和 FB 引脚之间连接良好、并联的 LM5177数量就不应有限制。 有关并联运行的更多信息、请参阅本应用手册: 使用 LM5177降压/升压控制器并联运行降压/升压转换器(修订版 A)

    可以使用4个 LM5177来支持1kW。 为了减少纹波、您可以使用具有90度相移的外部时钟来实现四相。 我将请时钟团队为此推荐一个器件。

    此致

    Yezi

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    尊敬的 Yezi:

    感谢您的反馈、这是个好消息!

    是否有 LM5177四相参考设计可分享给我们?

    谢谢!

    Jeff

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    尊敬的 Jeff:

    我们还没有四相参考设计、目前只有并联运行应用手册可用。

    此致

    Yezi

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    尊敬的 Yezi:

    明白了、那么 外部时钟建议呢?

    我们应该继续使用 CD4015B 或其他更好的建议吗?

    谢谢!

    Jeff

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    尊敬的 Yezi:

    对于4 x 外部 N-MOS、您是否也会向我们推荐合适的器件?

    谢谢!

    Jeff

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    尊敬的 Jeff:

     我们 EVM 中使用的 MOSFET 不适合您的用例。  我不是 MOSFET 专家、但希望我能就如何选择合适的器件给您一些建议。

    您可以使用我们的 Power Stage Designer 工具查找设计中 MOSFET 的最大额定值: 功率级设计器

    MOSFET 的重要特性在于漏源电压、漏极电流以及栅极电荷的最大额定值。 LM5177的 VCC 调节电压为5V、需要能够驱动 MOSFET。

    对于时钟、如果时钟团队没有更好的建议、可以使用应用手册中建议的时钟发生器。

    此致

    Yezi

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    Yezi,

    我不确定 LMK01801 (由 LMK6C 驱动)是否可以针对这一低频率范围(<= 600kHz)支持数字延迟-我已经将这一点分配给我们的缓冲器专家进行进一步调查。

    谢谢!
    Kadeem

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    尊敬的 Yezi:  

    这一点可通过此器件实现。  
    我有一项建议-使输出频率的基准 clk 除以8 -这可确保您能够通过以下设置满足90,180,270度的相移。  

    因此、换句话说、如果将输出设置为500kHz、使 基准时钟4.5MHz -这将使比率与表9-3相同、现在您可以将 CLKOUT12_13_DDLY 设置为7、将 CLKOUT12_13_HS 设置为零、从而产生2.0步长的相对数字延迟、即90度相移。  

    如果不选择遵循此步骤、您将发现自己被迫手动进行数学运算来计算各自的半个周期和 相对数字延迟步长、从而创建所需的相移。  

    此致、  

    Vicente