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[参考译文] TLIN1021A-Q1：睡眠模式下的 VSUP 电流

admin
Guru**** 1788580 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1417411/tlin1021a-q1-vsup-current-in-sleep-mode

器件型号：TLIN1021A-Q1

工具与软件：

专家们、您好！

当 LIN 收发器处于睡眠模式(EN = LOW)时、VSUP 电流会增大。

电流增加的原因是什么？

具体情况如下。

电路配置：请参阅图1。

电压/电流波形：当 TXD 端子的上拉电压降低且向 TXD 端子施加2.5V 电压时、VSUP 电流会增加。 (参见图2)

电路配置

电压/电流波形

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    TI__Guru**** 1788580 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Shohei：

    如果您断开 TXD 与 MCU 的连接、让其在睡眠模式下悬空、是否仍会看到0.5mA ISUP？  如果 TXD 上拉至5V 并缓慢下降、内部350k Ω 下拉电阻器上的电流消耗会有所增加。

    此致、

    Sean

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    TI__Guru**** 1788580 points
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    你好、Sean、

    感谢您的回答。
    在 TXD 与 MCU 断开连接的情况下进入睡眠模式时、ISUP 也会变为0.5mA。

    此外、在断开 TXD 端子和 MCU 的情况下、如果您从外部稳定电源为 TXD 上拉电阻提供5V 电压、
    然后逐渐降低5V、ISUP 电流在大约2.5V 时突然增加。

    我们推测、当向 TXD 端子的内部电路施加中间电势(显性状态超时)时会产生击穿电流。

    您能告诉我 TXD 端子内部电路的配置吗？

    此致、

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    TI__Guru**** 1788580 points
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    你好、Sean、

    我已经发送了其他问题、请您回答吗？

    此致、

    Shohei

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    TI__Guru**** 1788580 points
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    Shohei-San,

    我对这里的延误深表歉意。

    是的、如果您将 TXD 输入保持在中轨电压、则正如您提到的、击穿电流可能会增加电流消耗。 在睡眠模式下、器件 ISUP 的规范基于 TXD 和 RXD 悬空、因此如果 TXD 引脚偏置到毫伏轨、电流消耗可能会略微增加。

    TXD 具有内部弱下拉电阻、因此在未连接任何器件时应将该引脚变为低电平。 如果您移除上拉电阻器、您应该会看到情况确实如此。

    此致！

    Danny

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    TI__Guru**** 1788580 points
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    尊敬的 Danny：

    感谢您的答复。
    我还有一个问题、请回答。

    我知道当 TXD 端子的5V 输入时会产生击穿电流。
    LIN 收发器是否会被该击穿电流损坏？

    请告知我 VSUP 端子是否存在最大额定电流。

    此致、

    Shohei

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    TI__Guru**** 1788580 points
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    Shohei-San,

    问得好。 不可以、在这种情况下不应该存在损坏问题、主要问题是从电池线路中消耗的电流增加。

    此致！

    Danny

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    TI__Guru**** 1788580 points
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    尊敬的 Danny：

    感谢您回答我的其他问题。
    我的所有问题都已回答。
    非常感谢您的帮助。
    再次感谢。

    此致、

    Shohei