工具与软件:
Dears、
我的客户使用 SMBus 主模式(ENSMB = FLOAT)从外部 EEPROM 加载寄存器数据(AT24C02C;地址为0xA0、 3中继器 DS125BR401[3:0]为0XB0)至 AD 、
、但上电时无法从 EEPROM 加载数据;但是、如果通过设置 0x07寄存器(数字复位和控制)的位6 (复位寄存器)来重置寄存器、则可以从外部 EEPROM 加载数据。
我注意到数据表中有一个引脚 READ_EN:" 使用外部 EEPROM 时、READ_EN 引脚从高电平转换为低电平会启动来自外部 EEPROM 的负载 LVCMOS "、这对于主模式是否也是必需的? 数据表不需要在主模式工作序列(9.5.2 SMBus 主模式)中进行 READ_EN 引脚高电平至低电平转换。
DS125BR401在何时从外部 EEPROM 加载数据? 电力质量是否会影响数据加载?
客户将模式设置为10G-KR、他们还注意到2位 0x26[6:5](MODE_DET 状态)可能在11和00之间变化、这是否异常? 由于数据表显示这2位"仅在 MODE 引脚=自动时起作用"、我们是否可以忽略它们?
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