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[参考译文] DS125BR401:如何在主模式下从外部 EEPROM 加载数据?

Guru**** 1797640 points
Other Parts Discussed in Thread: DS125BR401
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1425078/ds125br401-how-to-load-data-from-external-eeprom-in-master-mode

器件型号:DS125BR401

工具与软件:

Dears、

我的客户使用 SMBus 主模式(ENSMB = FLOAT)从外部 EEPROM 加载寄存器数据(AT24C02C;地址为0xA0、 3中继器 DS125BR401[3:0]为0XB0)至 AD 、

、但上电时无法从 EEPROM 加载数据;但是、如果通过设置 0x07寄存器(数字复位和控制)的位6 (复位寄存器)来重置寄存器、则可以从外部 EEPROM 加载数据。

我注意到数据表中有一个引脚 READ_EN:" 使用外部 EEPROM 时、READ_EN 引脚从高电平转换为低电平会启动来自外部 EEPROM 的负载 LVCMOS "、这对于主模式是否也是必需的? 数据表不需要在主模式工作序列(9.5.2 SMBus 主模式)中进行 READ_EN 引脚高电平至低电平转换。  

 DS125BR401在何时从外部 EEPROM 加载数据? 电力质量是否会影响数据加载?

客户将模式设置为10G-KR、他们还注意到2位 0x26[6:5](MODE_DET 状态)可能在11和00之间变化、这是否异常? 由于数据表显示这2位"仅在 MODE 引脚=自动时起作用"、我们是否可以忽略它们?  

请帮助查看问题。

非常感谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Andrew、您好!

    在 SMBus 主模式下、当 READ_EN 引脚被拉低时、EEPROM 加载启动。 外部 EEPROM 仅用于 SMBus 主模式、因此数据表中与 EEPROM 相关的任何信息都适用于 SMBus 主模式。

    有多少转接驱动器会从单个 EEPROM 加载其配置?

    • 如果只有一个转接驱动器、您只需将 READ_EN 引脚连接到 GND、EEPROM 负载将在加电时开始。
    • 如果需要多个转接驱动器、则需要将第一个器件的 READ_EN 连接到 GND、将第一个器件的 ALL_DONE 连接到第二个器件的 READ_EN、将第二个器件的 ALL_DONE 连接到第三个器件的 READ_EN、等等 这是防止多个转接驱动器尝试同时读取 EEPROM 的必要条件。

    您可以忽略 MODE_DET 状态、因为这些位仅在 MODE 引脚=自动时起作用。

    此致!

    卢卡斯

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    亲爱的卢卡斯:

    只有1个 DS125BR401、客户已将 READ_EN 拉 至 GND。 奇怪的是、外部 EEPROM 数据在上电时不能加载、而是可以  通过设置 0x07寄存器(数字复位和控制)的位6 (复位寄存器)在复位寄存器后加载。 您是否需要帮助检查是否有任何复位操作可以加载 EEPROM?

    我还对 READ_EN 的功能有疑问、 即" 使用外部 EEPROM 时、READ_EN 引脚从高电平转换为低电平会从外部 EEPROM 启动 LVCMOS 负载"、但当 READ_EN 被拉至 GND 时、转接驱动器会在上电期间将其拉高吗? 当它将 READ_EN 拉 至高电平时? 客户没有 注意到 READ_EN 的高电平、那么如何从高电平转换到低电平?

    非常感谢!

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    亲爱的卢卡斯:

    此外、 DS125BR401加载 EEPROM 数据的工作流程是什么? 在 READ_EN 引脚被拉低后、它会一直加载数据直到成功、还是会在特定的时间后停止加载?

    谢谢!  

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    Andrew、您好!

    感谢您的澄清。

    您能否说明一下、在写入0x07[6]= 1以复位寄存器值后、EEPROM 加载是否成功? 还是写入0x07[5]=1来复位 SMBus 主状态机?

    READ_EN 的引脚说明有点会误导开发者。 当 READ_EN 被拉至低电平时、将 EEPROM 加载开始、因此将 READ_EN 连接到 GND 将在器件上电时启动 EEPROM 加载。

    DS125BR401将多次尝试从 EEPROM 加载数据。 尝试固定次数后、我相信转接驱动器会停止尝试加载数据。 对于类似的器件、EEPROM 加载将在64次尝试后声明为失败。 我不清楚对 DS125BR401的尝试次数是否不同。

    我有几个调试问题。

    1. 您能否探测 ALL_DONE 引脚并报告上电时和寄存器复位执行后的电压电平?
    2. 您能将原理图分享给我吗?

    此致!

    卢卡斯

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    亲爱的卢卡斯:

    原理图如下:

    经客户仔细检查、它们通过  将00100001 (0x21)发送至 0x07来复位 SMBus 主器件、而不是复位整个寄存器。

    ALL_DONE 引脚电压不容易检查、因为其系统 浸入水中。 但是 EEPROM 读取完成位在加载失败时为0、在加载成功时变为1。

     与他们的旧项目(其中 DS125BR401可以加载 EEPROM 数据而无需复位 SMBus 主器件)相比、这个已发布的项目有2个区别:

    1.  DS125BR401的数量从2更改为1 (原理图显示了 ENMSB 的连接并且 READ_EN 正确)

    2. BMC 器件并不相同(还有 BMC 器件连接在 DS125BR401的同一 SMBus 上)、是否是在上电时加载 EEPROM 时导致 SMBus 错误的原因?  与上电相比、SMBus 状态机在复位时的行为是否有任何差异?  

    DS125BR401使用 SMBus 而不是 I2C 总线、我 发现客户可能将其用作 I2C、因此在某些情况下可能会导致任何冲突?

    请帮助分享您宝贵的建议。 客户现在处于紧急状态。

    非常感谢!  

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    Andrew、您好!

    感谢您分享原理图、我查看了器件 U1。 您是否尝试共享第二幅图像? 如果您这么做了、我就看不到。 您能否共享第二个转接驱动器的原理图?

    根据原理图、我有几个问题。

    • 您可以尝试取消安装 C617吗? 我想知道该电容是否会阻止转接驱动器正确识别 READ_EN 引脚上的低输入。
    • 我看到 ALL_DONE 已连接到第二个转接驱动器的 READ_EN 引脚。 您能否确认2个转接驱动器是否共享同一条 I2C 总线? 它们是否会从同一 EEPROM 加载其配置?
    • 第二个转接驱动器的 READ_EN 引脚上是否有下拉电阻器?
    • 您能否确认 SDA 和 SCL 线是否包含上拉电阻器?

    感谢您确认使用哪个寄存器位来复位 SMBus 主器件。 这符合我对如何重新启动 EEPROM 加载的理解。

    您提到电路板浸入水中。 我对此有几个问题。

    • 部件是否直接与水接触? 水是一种导体、可能会损坏未专门用于水下使用的组件(包括 DS125BR401)。
    • 客户是否可以使用以前未浸入水中的系统进行测试? 我想看看这个问题是否在没有 水浸的情况下仍然存在。

    关于 BMC 器件:此器件是否维护对 I2C 总线的主控制? DS125BR401在从 EEPROM 加载其配置时需要进行主控。 加载完成后将恢复到 I2C 从器件。

    SMBus 构建在 I2C 上、因此通常与 I2C 器件兼容。 我们的客户通常会将我们的转接驱动器和重定时器的 SMBus 接口连接到其他 I2C 器件。 我认为 I2C 和 SMBus 之间不太可能出现一些兼容性问题。

    如果您有兴趣、可以查看以下应用手册以了解有关 I2C/SMBus 兼容性的更多信息: e2e.ti.com/.../sloa132_5F00_smbus_5F00_compatibility_5F00_with_5F00_i2c.pdf

    最后、您能否分享客户的姓名以获取我的信息?

    此致!

    卢卡斯

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    亲爱的卢卡斯:

    确认此问题是由 I2C 与其他电路冲突引起的、客户现在修复。

    非常感谢!