This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPD1S514:如何通过 FET 电流通过计算器件内部的总损耗

Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: TPD1S514
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1438815/tpd1s514-how-to-calculate-the-total-loss-inside-the-device-with-fet-current-pass

器件型号:TPD1S514

工具与软件:

尊敬的专家:

我的客户正在考虑 TPD1S514、有一个问题。

如果您能提供建议、我将不胜感激。

——

我认为 TPD1S514的总损耗不仅需要考虑其自身的电流消耗、而且还需要考虑通过它的 VBUS 电流的损耗。

您能说明一下如何计算器件内部的总损耗吗?

——

感谢您提前提供的大力帮助。

此致、

Shinichi

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的信一:

    要考虑通过 VBUS 开关的功率损耗、您需要查看 RDSON 规格(数据表的第7.8节)。  这特定于每个器件型号。

    P_SWITCH =(I_BUS)^2 * RDSON、其中 I_BUS 是流经器件的 VBUS 电流。

    例如、 TPD1S514-1:
    RDSON = 39m Ω(典型值)
    I_BUS = 1A

    P_SWITCH = 1*1*0.039=0.039W

    此致、
    Eric

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Eric、您好!

    感谢您的答复。

    我将 与客户分享您的答案。

    当客户有其他问题时、我会再次咨询您。

    感谢您的大力帮助与合作。

    此致、

    Shinichi

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的信一:

    没问题。

    此致、
    Eric

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Eric、您好!

    客户没有其他问题。

    您可以关闭该主题吗?

    感谢您的大力帮助与合作。

    此致、

    Shinichi

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Shinichi。  我现在要结束了。

    此致、
    Eric