工具与软件:
1、考虑到 Vsup 电压较高(电流要求小于130uA)、Vsup 的波动可能会导致相邻信号出现较大串扰、并且一般考虑1k 串联电阻(如下图所示)。
那么芯片的 Vsup 电流需求是否会出现浪涌(大幅增量)、使芯片 Vsup 低于欠压阈值?

2.对于睡眠模式(由 SWE 计时器溢出引起)、tmode1是在 EN 边沿之后 nSTB 需要保持低电平的最短时间、但 EN 不能执行电平转换(例如、需要 EN (L→H)、并且 EN 在进入睡眠模式时已处于低电平)? 是否需要在 tmode1 (红色遮罩)之前使用此液位开关?

如果待机器件进入进入睡眠系统、则需要清除 WAKERQ。 但数据表提到、只有 UVCC/UVIO/转换到正常模式才能清除 WAKERQ。
然而、考虑到 UVCC/UVIO 导致在任何模式下都可能变为睡眠模式、清除 WAKERQ 的唯一方法(即将 CAN 转换为正常模式)仍有一种方法与将 CAN 置于睡眠模式相矛盾。 那么、如何让 WAKERQ 变得清晰?

VCC 欠压时 VIO 的欠压时间必须长于 TUV。 电压恢复也需要正常电压来保持 TUV?
5.在 TXDRXD 标志清除(8.3.7.1.7)的情况下、REC-DOM 转换意味着 TXD 正在执行 REC-DOM 转换?、还是意味着 TXD 或 RXD 执行 REC-DOM、TRANSITION?(即、在静默模式下、通过 RXD (读回总线)的 REC-DOM 转换可以通过 清除 TXDRXD 标志来上拉 nFAULT?

将6.PWRON、WAKERQ 和 WAKESR 设置为第一次上电。 那么、对于唤醒源识别、第一次上电是否被视为本地唤醒?
此外、初始上电是否意味着冷启动?
关于清除和设置总线故障标志位的时间要求、存在"4个连续 DOM-REC 转换"的概念、但数据表也提供了 tCBF 数据。 这两个数字之间可能有一些差异。 哪一个占优势?
(例如、如果使用8位数据开关8M 速率、则连续4个边沿的时间将小于1/8M*10^6*8=1us;数据表中 tCBF 的最小值为2.5us)