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[参考译文] DP83825I:PHY 侧的中心抽头电容

Guru**** 2473260 points
Other Parts Discussed in Thread: DP83825I

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1459757/dp83825i-center-tap-capacitance-on-phy-side

器件型号:DP83825I

工具与软件:

您好!  

我们更倾向于将  DP83825I 与具有集成磁性元件的 RJ45插孔结合使用。 数据表中推荐了每个 PHY 侧中心抽头到 GND 的1.1µF 电容值。  

大多数具有集成磁性元件的 RJ45插孔都集成了采用0.1µF 的中心抽头电容器。 下面举例说明:  

TI 是否有使用 DP83825I 与具有0.1µF 中心抽头容量的 RJ45插孔组合的体验?

您是否建议对1.1µF 使用分立式磁性元件、而不是 中心抽头容量为0.1µF 的 RJ45插孔?

此致  

沃尔夫冈  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Wolfgang、

    除了数据表建议之外、我们尚未对不同的中心抽头组合进行任何表征。 任何偏离我们建议的行为都会让客户承担验证责任。  

    客户可以自由探索集成 RJ-45是否适用于其用例、但最终他们将负责验证其用例。

    此致、

    Gerome.