工具与软件：
您好、 Ryan、
我在 两个月前向您提供了 TS3DV642-Q1的 S 参数。 我有一些问题、请您尽快帮助确认吗？ 我们确实需要清楚地说明 S 参数以继续我们的仿真。
我们将 TS3DV642RUATQ1 用于 MIPI CDPHY 应用、CDPHY 位于同一个开关中。
1) 1) 您能否说明每个端口的连接？ 下面的显示了您的 S 参数、但我们不知道哪个端口应该连接到 D0+、D0-、D0+B、D0-B
2)下面显示 S 参数的摘要,您能否告诉我为什么唱结束性能如此差? 对于单端 CPHY、我们需要 RL 满足客户的规格。
3) 3)如何 设置 S 参数？ 您能否和我分享一下 EVB 电路板设计文件和仿真模型？ 我们想知道我们的设置是否与您的设置相同。
您好、 Ryan、
我想补充一个问题。
4) 4) 下面显示了 TDR 图和仿真模型、仅 TS3DV642RUATQ1、使用了您的 S 参数。 客户要求我们显示完整路径的 TDR (ATE 负载板加上 TS3DV642RUATQ1)、但是 如果添加 TS3DV642RUATQ1、我们会得到一个非常糟糕的 TDR 图。 我们猜测您的 TDR 存在一些问题、可能是因为低频采样点较少。
问题 A：您能否向我发送正确的 S 参数以帮助我们得到正确的 TDR 图？
问题 b：您能否说明此开关的最佳性能是 在 ATE 负载板上使用50欧姆阻抗控制？
我们手头的 S 参数版本为 8750.TS3DV642Q1_s4p_10G.7z。
尊敬的 Aimee：
[报价 userid="629918" url="~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1460296/ts3dv642-q1-ts3dv642ruatq1---s-parameter-module "]1) 1) 您能否说明每个端口的连接？ 下面的显示了您的 S 参数、但我们不知道哪个端口应该连接到 D0+、D0-、D0+B、D0-B
对于该 S-Param、端口1连接到端口2、端口3连接到端口4。 +通道可用于端口1到端口2、-通道可用于端口3到端口4。
Unknown 说：2)下面显示 S 参数的摘要、请告诉我为什么串尾性能如此差？ 对于单端 CPHY、我们需要 RL 满足客户的规格。[/QUOT]我可以自行进行测试以进行检查、但我认为问题可能只是设置而已。 该 S 参数应该相对准确。
3)如何 设置 S 参数？ 您能否和我分享一下 EVB 电路板设计文件和仿真模型？ 我们想知道我们的设置是否与您的设置相同。当然、我可以共享 EVM 设计文件。 但是、我发送给您的这个 S 参数是我们唯一可用的 S 参数模型。 只要您有端口1到端口2以及端口3到端口4、就应该可以预期得到正确的性能。
[/quote]4) 4) 下面显示了 TDR 图和仿真模型、仅 TS3DV642RUATQ1、使用了您的 S 参数。 客户要求我们显示完整路径的 TDR (ATE 负载板加上 TS3DV642RUATQ1)、但是 如果添加 TS3DV642RUATQ1、我们会得到一个非常糟糕的 TDR 图。 我们猜测您的 TDR 存在一些问题、可能是因为低频采样点较少。
问题 A：您能否向我发送正确的 S 参数以帮助我们得到正确的 TDR 图？
问题 b：您能否说明此开关的最佳性能是 在 ATE 负载板上使用50欧姆阻抗控制？
我们手头的 S 参数版本为 8750.TS3DV642Q1_s4p_10G.7z。
[报价]这个 s 参数是我们可用于此器件的唯一参数、但是、TDR 应该是准确的。 我会仔细检查50欧姆阻抗是否正确。
谢谢！
Ryan
尊敬的 Aimee：
我正在模拟 D0_D0A 的 S 参数、没有看到性能问题。 例如、我看到1.875GHz 时的单端回波损耗为-20.17dB 和-25.26dB、1.884GHz 时的差分回波损耗为-24.41dB。 您是否发现有特定通道存在性能问题？
我还在该 S 参数文件上运行 TDR 并得到以下图。 单端阻抗应为50欧姆+多路复用器的 Ron。 在我的仿真中、单端阻抗更接近56 Ω
这是合理的、因为 TS3DV642-Q1具有大约6.5欧姆的典型 Ron
此致！
Shane
