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[参考译文] TUSB2046B:晶体驱动电平、其他问题

Guru**** 2031750 points
Other Parts Discussed in Thread: TUSB2046B
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1463965/tusb2046b-crystal-drive-level-other-questions

器件型号:TUSB2046B

工具与软件:

您好!

感谢您对以下问题的回答:

1.驱动电平100uW 的晶体是否适合该设计? 一些集线器芯片提到最小500uW

2. TUSB 数据表显示每个 VCC 引脚0.1uf、0.01uf、然而、EVM SLVP159在两个 VCC 引脚上均仅有一个。 这适合最终设计吗?

3.原理图中的复位电路显示15k、1uf。 如果使用4.7uf 电容而非1uf、则除了4倍的复位时间之外、集线器功能是否会受到影响?

提前感谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    1. 驱动电平为100uW 的晶体是否适合该设计? 某些集线器芯片提到最小500uW[/报价]

    100uW 应该适用于 TUSB2046B

    2. TUSB 数据表显示、每个 VCC 引脚0.1uf、0.01uf、然而、EVM SLVP159对于两个 VCC 引脚均仅有一个。 这对于最终设计是否合适?

    对于每个 VCC、0..1uf 应可满足要求。

    3. 原理图中的复位电路显示15k、1uf。 如果使用4.7uf 电容而非1uf、则除4倍长的复位时间外、集线器功能是否会受到影响?

    它取决于总复位时间、少于10ms 应该没问题。

    好的

    Brian

    [/quote]