[参考译文] DP83822I：放置50欧姆电阻器、如果需要额外的电容器

感谢确认49.9欧姆电阻应尽可能靠近 PHY 放置、但不以违反 MDI 布线布局的方式放置。  很有道理。  还感谢您清除49.9 Ω 电阻周围额外的1uF 和0.1uF 电容、这是冗余的、可选、您的里程数因器件而异。  对于(4)个建议的去耦电容器、我们在 AVD 上使用50V MLCC 电容器、并安装可选的铁氧体磁珠。  使用铁氧体磁珠时、FACTION AVD (引脚14)靠近 MDI 引脚、50V 电容器几乎不会出现任何直流偏置降额、我认为我们的设计可以摆脱这些冗余电容器。

还有一个关于 AVD 轨的问题。  我们的设计中具有可选的铁氧体磁珠、但铁氧体磁珠的位置尚有争议。  由于 AVD 必须连接到 PHY 上的引脚14和 PHY 旁边的(4)去耦电容器、因此铁氧体磁珠应靠近 PHY。  但是、AVD 也连接到 RJ45的中心抽头(我们使用具有集成磁性元件的插孔)和一些靠近 RJ45的电容器。  因此、铁氧体磁珠靠近 RJ45是有意义的。  最后、我们得到 Pulse 提供的这项建议、该建议说、要降低 EMI、RJ45和 PHY 之间应保持1英寸的间距。   https://www.pulseelectronics.com/wp-content/uploads/2020/12/Pulse_Layout-Considerations-v7.pdf

我们的电路板在 RJ45和 PHY 之间的间隔刚好超过1英寸。  您建议将铁氧体磁珠放置在哪里？  在 PHY 旁边、RJ45旁边、PHY 和 RJ45之间的中途点、使用两个铁氧体磁珠？

谢谢、Dean

当 PHY 和 RJ45隔了很大一段距离(在本例中为1英寸)时、您对在 AVD 轨上放置铁氧体磁珠有什么建议吗？  请参阅上面的帖子。

谢谢、Dean

您好、Dean：

很抱歉耽误你的时间。

在这种情况下、铁氧体磁珠应放置在更靠近 PHY 的位置。 如果应用中预计会出现明显的 ESD 噪声、也可以在更靠近磁体的位置使用第二个铁氧体磁珠。

谢谢！

Evan