[参考译文] DS100BR111：DS100BR111

尊敬的 Kevin：

是的、您可以在本论坛上共享原理图、寄存器配置、EEPROM 文件等。我和我的团队可以提供支持。 我们也可以在此处帮助回答详细的调试问题。 如果您对共享文件或在公共论坛上获得支持有任何疑虑、请告诉我、我可以分享其他选项。

此致！

卢卡斯

尊敬的 Kevin：

感谢您的详细解释。

这是我对您的原理图的反馈。 请注意、您仍有责任确保您的设计能够按预期运行。

• INA+/-、INB+/-：  请确认输入信号是交流耦合的。
• OUTA+/-、OUTB+/-：看起来正常、外部交流耦合。
• ENSMB：外观正常、拉至高电平以使 SMBus 从模式对 EEPROM 进行编程。 然后在 SMBus 主模式下取消安装上拉电阻器。
• 串行时钟(SDA/SCL)：  请确认 I2C_FLEX_3V3_SDA 和 I2C_FLEX_3V3_SCL 网络中包括了一个外部2k 至5k 上拉电阻器。
• AD0-3：看上去一切正常、8位 SMBus 地址为0xC8和0xCA。
• READEN#： 拉至转接驱动器0xC8上的 GND。 0xCA READEN#通过1k 电阻连接到0xC8 DONE#。  我建议将 R117替换为0欧姆电阻器、以防止从 DONE#到 READEN#之间出现压降的风险。
• DONE#：看起来正常、在转接驱动器0xCA 上保持悬空。
• TX_DIS：看起来正常、下拉至低电平以实现正常运行。
• LOS：看起来正常、针对开漏输出将4.7K 拉至3.3V。
• sd_th：看起来正常、保持悬空以进行默认设置。 可以使用寄存器值进行修改。
• VDD_SEL：看起来正常、在3.3V 模式下拉至低电平。
• VDD：看上去一切正常、0.1uF 去耦电容器连接到每个引脚。
• VIN：去耦功能与数据表建议值略有不同。 我预计这不会是问题。
• GND：看起来不错。
• EEPROM：我查看了 M24C16-DFCU 数据表。 此 EEPROM 似乎与 DS100BR111兼容。

我查看了 EEPROM 十六进制文件、并注意到3个字节用于地址标头、但 EEPROM 的基本标头位5=0 <= 256字节。 若要使用3字节地址标头、该位需要生效、并且无论实际的 EEPROM 映像大小如何、都可以生效。 因此、我建议将字节0x00=0x41更改为0x00=0x61。

我看到使用此 EEPROM 配置对以下设置进行了编程。 如果所有这些设置都正确、则 EEPROM 十六进制文件不会再出现问题。

• 覆盖 DEM  
• EQ=0x03、11.5dB @ 5GHz (双通道)
• DEM=0dB (两个通道)
• 10G-KR 模式(两个通道)
• VOD = 800mVpp (两个通道)

SigCon Architect GUI 的 DS100BR111器件配置文件分为3个不同页面。

• 中继器页面：允许对各种中继器块进行简单配置。
• "Low Level Page"(低级页面)：允许直接读取/写入寄存器。
• EEPROM 页面：可结合 Low Level 页面中的寄存器配置、用于生成/加载 EEPROM 十六进制文件。 我建议仔细检查 EEPROM 页面生成的任何文件、因为可能存在一些错误。

如果您有关于 SigCon Architect 的任何其他问题、请告诉我。 这是我们可帮助进行调试的唯一工具。 此外、您可以在 E2E 论坛上提出任何调试问题、我的同事或我将帮助提供支持。

此致！

卢卡斯

尊敬的 Kevin：

感谢您在 EEPROM 映像上指出这一点。 这是我的错、我现在看到使用了2字节的地址标头。 我认为您的 EEPROM 十六进制文件没有任何问题。

关于 SigCon Architect：

• DS100BR111没有任何显示信号检测或 LOS 状态的寄存器。 因此 SigCon Architect 无法显示此状态。 但是、DS100BR111包括一个 LOS 引脚、可以探测该引脚以检查是否在通道 A 上检测到信号。寄存器0x01[2]可用于为 LOS 引脚选择通道 A 或通道 B 状态。
• 是的、可以进行实时调整、这将立即影响链接。 DS100BR111对于10G-KR 链路训练是透明的、不会主动参与。 它只需在两端之间传递训练信号即可正确完成训练。 对转接驱动器配置所做的任何更改都将立即生效。

此致！

卢卡斯