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[参考译文] DP83869HM:晶体负载电容

Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: DP83869EVM
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1479654/dp83869hm-crystal-load-capacitance

器件型号:DP83869HM
主题中讨论的其他器件:DP83869DP83869EVM

工具与软件:

当 DP83869与包含20 pF 负载电容的25 MHz 晶振一起使用时、根据数据表、这在规格范围内。 (15到40 pF)。在测试过程中、发现大量数据包丢失。 当向 DP83869馈送外部时钟时、一切看起来都正常、因此很明显晶体电路内正在发生奇怪的情况。

在查看 有关 德州仪器(TI)以太网物理层晶体的选择和规格的 sla290应用手册时、会执行更多的调优。 降低负载电容器可提高时钟输出频率。 具有相同负载电容值的两个系统之间的可靠性会提高、但其他器件的标准铜缆以太网接口无法实现。 接近25 MHz 所需的电容使该器件再次不稳定。

更全面地阅读 sla290应用手册时、会发现数据表和应用手册中晶体的负载电容值存在差异。 数据表规定负载电容为15至40 pF、应用手册建议的负载电容值为8至20 pF。 此外、参考设计 DP83869EVM 采用负载电容为12 pF 的晶体、根据数据表、这低于规格。

为一个具有12 pF 电容的晶体更改晶体、并匹配负载电容器以匹配该值(当然会对杂散电容进行补偿)、看起来会实现稳定的连接、而不会丢失任何数据包。 (已对照标准铜缆以太网接口和匹配的 DP83869进行了测试)

该配置仍在测试中、但看起来仍然有希望。 我非常希望 TI 的工作人员能够确保数据表中规定的负载电容范围有误、或者应用手册和参考设计中的内容有误。 因为根据数据表、这个电路现在运行在技术规格之外。

提前感谢!

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    您好!

    我理解关于数据表规格的问题。 关于 xtal、由于有许多元件参数会影响时钟的启动、因此数据表提到应与 xtal 供应商进行检查、因为负载电容值可能会有所不同。 在 EVM 示例中、此元件的负载电容为12pF。 使用 C45和 C46时、等效负载电容将为11pF、其中差值表示寄生效应。

    简而言之、每当使用 xtal 进行设计时、强烈建议咨询 xtal 供应商、以了解在其电路周围需要什么来为25MHz 适当供电。

    此致、

    Gerome.