[参考译文] TCAN1462-Q1：TCAN1462-Q1与 SN65HVD1050-Q1之间这些器件 ESD 特性的差异

尊敬的 Michael-San：

感谢您的答复。 很抱歉、我无法访问您所附的报告。 您能否检查链接是否正确？

>SN65以强大的 ESD 钳位行为和瞬态抑制而闻名、这有助于更好地从 ESD 冲击中恢复。

⇒这意味着 SN65的 ESD 特性优于 TCAN 器件？ 从数据表可知、SN65的 ESD 特性(CDM)高于 TCAN、如下所示。

                                               SN65

                                               TCAN

产生强大 ESD 钳位行为的原因来自于上述特性。 这种理解是否正确？

如果您有任何信息、您能不能说这些差异的原因是什么电路 结构？

>SN65设备是支持较低数据速率的较旧设备。 速度较低时、我们可以观察到更低的发射。 因此、该器件针对发射进行了设计和优化。

⇒我了解 SN65器件的 EMC 优化用于低速通信(大约1Mbps？)。

此致、

Teritama  

尊敬的 Michael-San：

我也无法访问这个。 我只能看到以下消息。

Unknown 说：

您还可以比较 ESD 瞬变、即200V 与30V。

在⇒模型和 Vtran (通过 DCC 产生的慢速瞬态脉冲)中、Δ T 瞬态特性是否低于该值？

Unknown 说：

是的、根据数据表的建议、您回答正确、谢谢。

⇒我明白了。 谢谢。

此致、

Teritama

尊敬的 Michael-San：

感谢您的大力支持。

我明白你的不受刺激。  

此致、

Teritama