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[参考译文] TUSB320:在配置 DRP 时是否需要一个大容量电容器和一个 MOSFET?

Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: MSPM0G3507, TUSB320, BQ25622
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1474877/tusb320-is-it-necessary-to-have-a-bulk-capacitor-and-a-mosfet-when-configuring-drp

器件型号:TUSB320
主题中讨论的其他器件:MSPM0G3507、、 BQ25622

工具与软件:

您好!

在开始之前、我想说的是我是嵌入式系统新手、因此可能 缺少一些重要且微不足道的背景信息。 感谢您的耐心。

我正在尝试将 TUSB320连接到 MSPM0G3507和  BQ25622来最终开发电池包的原型。

(因此、只会进行电力传输、并且通过 USB-C 端口不会进行数据交换。)

在设计 TUSB320的原理图时、我在 TUSB320数据表中找到了这个示例、但我不确定我的设计是否需要150uF 大容量电容器和连接的 MOSFET。

由于这是学生级项目的原型设计、因此我不打算使电池包与传统 USB2协议兼容-预计只遵循标准 USB-C 协议(我认为 USB3.x)。

在本例中、设计是否需要 FET 和150uF 大容量电容器(在下面的数据表示例原理图中用黄色高亮标记)? 或者、在没有 FET 和大容量电容器的情况下将 VBUS 连接到 PMIC 是否可以实现成功的 DRP 配置设置?

此外、如果需要 FET 和大容量电容器、您能否告诉我应该选择哪种类型的 FET? 是 NMOS 还是 PMOS? 在选择 FET 时、我是否需要仔细考虑任何其他参数(工作电压范围等)?

感谢您的帮助和时间。

谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    此外、最好有人能查看我为 TUSB320制作的原理图、并告诉我它是否合适或缺少什么等等

    非常感谢!

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    Jaein:

      今天是美国的假日、 指定的工程师将 在明天作出响应。

    好的

    Brian  

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    Brian、您好!

    我希望你有一个伟大的主席日。

    我只是想跟进这个论坛-谢谢!

    此致!

    Jaein

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    您好、Jaein:

    [报价 userid="641900" url="~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1474877/tusb320-is-it-necessary-to-have-a-bulk-capacitor-and-a-mosfet-when-configuring-drp "]

    在本例中、设计是否需要 FET 和150uF 大容量电容器(在下面的数据表示例原理图中用黄色高亮标记)? 或者、在没有 FET 和大容量电容器的情况下将 VBUS 连接到 PMIC 是否可以实现成功的 DRP 配置设置?

    此外、如果需要 FET 和大容量电容器、您能否告诉我应该选择哪种类型的 FET? 是 NMOS 还是 PMOS? 在选择 FET 时、我是否需要仔细考虑任何其他参数(工作电压范围等)?

    [报价]

    我不确定是否需要此设置、我想我看到过一些系统没有使用此设置、但我会再次进行检查。 最好还可以通过 E2E 与电力传输团队核实、因为我相信 BQ 器件是他们的一部分、因此您可以从他们那里获得答案。

    [报价 userid="641900" url="~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1474877/tusb320-is-it-necessary-to-have-a-bulk-capacitor-and-a-mosfet-when-configuring-drp/5661375 #5661375"]此外、如果有人能审阅我为 TUSB320制作的原理图并告诉我它是否正常或缺少任何东西、那将是很好的选择、等等。

    您是否使用 I2C? 如果是这样、SDA/SCL 线路应使用4.7K Ω 电阻上拉至1.8/3.3V、

    请确保 ID 引脚正在与主机或 VBUS 开关通信。 当 ID 引脚为低电平时、这表示器件配置为 DFP 模式、应向 VBUS 供电。 如果 ID 引脚设置不正确、在 DFP 应用中使用时会导致问题。

    否则、我认为我认为此原理图没有任何其他问题。 我将再次仔细检查 FET 要求。

    谢谢!

    Ryan

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    Ryan、您好!

    感谢您的答复。

    您是否在使用 I2C? 如果是这样、应使用4.7K Ω 电阻将 SDA/SCL 线路上拉至1.8/3.3V [/报价]

    为此、I2C 总线连接到 MSPM0G3507 (MCU)、并在 MCU 原理图中使用4.7KOhm 电阻器将线路上拉至3.3V。

    我在此原理图中排除了上拉电阻、因为据我所知、整个 I2C 总线只需要一对4.7k Ω 上拉电阻(整个 I2C 连接的每条线路一个)。  您能告诉我这是否正确吗?

    请确保 ID 引脚与主机或 VBUS 交换机通信。 当 ID 引脚为低电平时、这表示器件配置为 DFP 模式、应向 VBUS 供电。 如果 ID 引脚设置不正确、则在 DFP 应用中使用时会导致问题。

    与此相关、ID 引脚和 INT#引脚均连接到 MCU 的 GPIO 引脚。 主机是指 MCU 吗? 在我所使用的系统中、MCU 将是负责将其他子系统集成/控制到一个工作系统中的子系统。 这些引脚连接到 MCU GPIO 时、它是否可以正常工作?

    感谢您的详细答复。 我还将 联系 电力传输团队、了解与 BQ 器件配合使用时的正确设置。

    谢谢、我期待您听到有关 FET 要求的消息!

    此致!

    Jaein

    [/quote]
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    您好、Jaein:

    DRP 应用需要此 FET、因为当 TUSB320设置为 DFP 时需要此150uF 电容器、而当设置为 UFP 时则不需要此电容器。 因此、我建议实现该 FET 以确保正常运行。

    [报价 userid="641900" url="~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1474877/tusb320-is-it-necessary-to-have-a-bulk-capacitor-and-a-mosfet-when-configuring-drp/5669286 #5669286"]关于此问题、ID 引脚和 INT#引脚均连接至 MCU 的 GPIO 引脚。 主机是指 MCU 吗? 在我所使用的系统中、MCU 将是负责将其他子系统集成/控制到一个工作系统中的子系统。 这些引脚连接到 MCU GPIO 时、它是否可以正常工作?[/QUOT]

    是的、在本例中、我指的是 MCU。 您可以使用 GPIO、只需记住、当 ID 引脚为低电平时、连接到 BQ 器件的 EN 引脚应该为高电平。

    [报价 userid="641900" url="~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1474877/tusb320-is-it-necessary-to-have-a-bulk-capacitor-and-a-mosfet-when-configuring-drp/5669286 #5669286"]我在此原理图中排除了上拉电阻器、据我所知、整个 I2C 总线只需要一对4.7k Ω 上拉电阻器(整个 I2C 连接每条线路一个)。  您能告诉我它是否正确吗?

    SDA 线上应该有一个上拉电阻器、SCL 线上应该有另一个上拉电阻器、正确。

    如果您有任何其他问题、敬请告知!

    谢谢!

    Ryan

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    您好、Ryan、

    非常感谢您的帮助!

    我还有最后一个问题。

    对于 FET、我可以使用任何类型的 FET 吗? 例如、只要来自任何具有任何工作范围(或电压范围等)的制造商的 N 型 MOSFET 可以正常工作? 或者是否需要检查任何特定参数/规范才能选择 FET 以实现成功?

    我觉得这可能也是一个琐碎的问题、但我非常感谢您的帮助。

    谢谢!

    此致!

    Jaein

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    您好、Jaein:

    我相信只要您的 MCU 的 GPIO 可以超过栅极电压阈值、N 型 MOSFET 就可行。 不过、我没有关于使用哪种 FET 的任何建议、抱歉。

    谢谢!

    Ryan

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    您好、Ryan、

    非常感谢您的帮助。

    我使用了一个 Vth 为 0.85V (min)−1.5V (max)的 N 型 MOSFET、我的 GPIO 的高电压(3.3V)将会超过该值、来更新我的实现。

    下面随附的图像是我的最终原理图。

    再次感谢大家、

    Jaein

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    您好、Jaein:

    只是为了确认、VBUS 仍在由 VBUS 开关控制、对吗? 漏极只是连接到开关的 VBUS 输出?

    否则,我不认为我有任何其他的评论。

    谢谢!

    Ryan

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    您好、Ryan、

    如果没弄错、我想 VBUS 也要连接到 TI 设计的电源多路复用器(TMUX1248DCKR)。

    它是否被视为一种 VBUS 开关?

    我认为它会像下图那样连接- VBUS 将连接到开关的漏极和 VOUT、但我会与正在为 TMUX 设计电路板的团队再次核实。

    谢谢!

    此致!

    Jaein

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    您好、Jaein:

    只要它能够控制 VBUS (看起来是可以的)并可以通过 MCU 的 GPIO 进行控制、我认为这应该是可以的。 查看您提取的多路复用器、它确实说它可以多路复用的最大信号最高为 VDD、因此请确保 VDD 至少为5V。 否则、只要实现类似于产品说明书典型应用上的实现、我就没有任何问题。

    谢谢!

    Ryan

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    您好、Ryan、

    感谢您发送编修。

    听起来真不错、是的、我会确保 VDD 保持在5V 以上。

    我对更好地了解基于 TUSB 的系统非常有帮助。

    感谢你的帮助。

    此致!

    Jaein

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    您好、Jaein:

    不用担心! 如果您有任何其他问题、请随时在此处或在此处发布另一个 E2E。

    谢谢!

    Ryan