[参考译文] LM51770：原理图检查

尊敬的 Gareth：

请在下面查看我的审核列表和标记为粗体的行项目、应再次进行检查(注意：此处留下了其他信息、用于概述所检查的内容)

(由于信息丢失、未选中带下划线的部分)

已检查快速入门计算器

原理图：

• 与电感器串联且在电感器之前具有 RCS
• 检查过滤器是否存在 RC
  电流检测电阻 RCS 没有所需的滤波器

• 检查过滤器是否有 Risns
  电流检测电阻器 Risns 没有滤波器-建议添加占位符

• 如果未使用 ISNS、则将 IMONOUT 连接到 VCC
   如果未使用 ISNS、则将 ILIMCOMP 连接至 VCC2
• SW1和 SW2上的缓冲器
  在 SW1和 SW2处放置缓冲器的封装
   (它们随后可以根据需要(例如、由于 EMI)在不更改布局的情况下进行安装)
  注意：缓冲器将电阻器与 GND 相连、以获得更好的热性能

• BIAS 已连接   
  如果未使用 BIAS、则连接到 VOUT 的 GND 或 VIN (请勿保持开路)
  BIAS 可以连接到 VIN (如果未超出 BIAS 的最大额定值)、以受益于 LDO 在 BIAS 上的更好性能
  ->建议连接到 VOUT
  

• 在 MOSFET 栅极信号线路中添加串联电阻
  (它们可以在需要时(例如由于 EMI)更换、而无需更改布局、
  其他选项：并联添加一个二极管以实现慢速导通和快速关断。
• 建议为每个 MOSFET 使用专用的栅极电阻器
  注意：良好的起始值为3.3Ω、然后在测试 PCB 时进行调整
• MOSFET 的额定电压
  (建议裕度为30%)
• MOSFET 的米勒平坦区
  所使用的 MOSFET 需要是逻辑电平 MOSFET -可在2.5V-3.5V 范围内的米勒平坦区看到
• 相对于最低输入电压的 UVLO 设置
  UVLO 设置为7V、但工作范围从9V 开始-相对较大的距离
• VCC 处的电容(EVM 使用：47 μ F)：(数据表最小值：10uF、直流偏置
  请检查 Vcc 上的电容是否具有所需的电容(考虑直流偏置)-我们在 EVM 上使用47 μ F
  最合适的情况下、此电容器不会提供所需的电容！

此致、

 Stefan