主题中讨论的其他器件:ISO7740、 ISOW7741
工具与软件:
现在、我将 ISOW7741和 ISO7740用于隔离式 RS232设计。
根据"具有16kV 接触放电 ESD 保护功能且符合 IEC60601-1-2标准的数字隔离设计"。
建议的 GDT 是2093-250-SM。 不过、护盾只能是2.5毫米。
但 间隙为8mm 的 DW-16 SOIC 封装能够支持 ESD。据我所知、至少需要4mm 的间隙。
我是否应该使用此 GDT、或者是否会推荐其他器件或 DIP 类型?


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工具与软件:
现在、我将 ISOW7741和 ISO7740用于隔离式 RS232设计。
根据"具有16kV 接触放电 ESD 保护功能且符合 IEC60601-1-2标准的数字隔离设计"。
建议的 GDT 是2093-250-SM。 不过、护盾只能是2.5毫米。
但 间隙为8mm 的 DW-16 SOIC 封装能够支持 ESD。据我所知、至少需要4mm 的间隙。
我是否应该使用此 GDT、或者是否会推荐其他器件或 DIP 类型?


Jim、您好!
感谢您联系我们。 令人鼓舞的是看到应用手册即将在您的设计中使用。
请在下面查找我的意见:
[报价用户 id="645565" url="~/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1484807/iso7741-isolation-design-with-iso-w-774x-gdt-clearance ]但是 具有8mm 间隙的 DW-16 SOIC 封装能够支持 ESD。据我所知、至少需要4mm 的间隙。[/QUOT]间隙实际上取决于您的目标 ESD 等级保护。 如果目标为15kV 及以上、则需要>12mm 的间隙、且无任何 GDT 跨隔离

如果您的要求是16kV、您可以使用应用手册 2093-250-SM 中推荐的 GDT。
尊敬的 Varun:
感谢您的答复。 请允许我澄清 我的问题。
此情况适用于医疗仪器、IEC 60601-1提到必须满足 Hi-Pot 1.5kV 电气隔离要求。
据我所知、在这些条件下(污染等级2、FR4材料以及1.5kV 的工作电压)、间隙距离至少应为4mm。
正如我之前提到的、2093-250-SM 的间隙距离仅为2.5mm。
使用此 GDT 将不会保持所需的4mm 间隙。
我是否应该继续使用此 GDT 并保持2.5mm 的间隙、或者您有什么其他建议?
此致
吉姆