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器件型号：ISOW7821 主题中讨论的其他器件： ISOW7721
工具与软件：
尊敬的 TI 团队：
客户遇到 ISOW7821的以下波纹和辐射应用问题、需要提供一些建议
从 IC 规格表可以看出、IC 电源总线会产生噪声纹波、我们现在面临相同的问题、需要 FAE 支持。
如何消除电压纹波并减少噪声发射？
尊敬的 Varun：
我们已经在我的电路中放置了铁氧体磁珠。 上图是铁氧体磁珠和去耦电容器(100uF、10uF、100nF)的结果
我们使用的铁氧体是 Wurth Elektronik PN：742 792 097。
第1层 
第2层 
第3层 
第4层 
尊敬的 Varun：
纹波和 EMI 来自 VDD。
请查看下面的图片是否正常。
L1 
L2 
L3 
L4 
100 μ F：
10 μ F：
您好、Vincent：
感谢您提供的投入。 请在下面查找我的意见：
尊敬的 Varun：
很抱歉迟到了响应。
我的测试设置如下所示。
n`t 我仅在隔离侧使用电阻器作为负载、因此我认为 IC 过载。
来自电源的输入电流为33mA、负载上的隔离电流为10mA。
未连接任何其他 I/O 引脚(全部悬空)。 我定期在电源侧 VCC 上观察到更大的噪声纹波。
您能给我们提供一些这方面的信息吗？
谢谢！
文森特
尊敬的 Varun：
感谢您的快速响应。
对于输入电源、我使用的直流电源的输出电流限制设置为500mA。 从上图可以看出、输入电源处的负载仅为33mA。 因此、我认为这可能不是问题。
我还在布局上提醒接地、并制作了另一个小型 PCB 来验证这一点。 因此、您可能会看到电压纹波的不同。 71mV Vp-p 来自我的新 PCB、具有更强的接地连接。
有我的新 PCB 的布局、 测试设置如上图所示(10mA 电阻负载)
顶部
L2
L3和底部(仅 GND 平面)
尊敬的 Varun：
对于 VCC、是的、整体性能有所提高、但仍会定期出现尖峰。 不确定这些是否会导致 EMI 问题。
供您参考、新 PCB 上的波形如下图所示。 (绿色-初级侧 VCC、黄色、-次级侧、Viso)
去耦电容器。
1)对于更大的电容值、要找到 高 SRF 并不容易。 您会为我推荐参考组件吗？ 可能来自 TI 的 EVK？
2) 2)对于10uF TDK 电容器、SRF 与之类似。 下面的图表是我从他们的网站上找到的内容。
从该频谱中可以看出、基波噪声频率在60MHz -70MHz 附近。
请查看您对此有何评论。
谢谢！
文森特
尊敬的 Koteshwar：
我们很快会将样片发送到认证实验室。 n`t 我们没有光室、因此近场耦合方法仅供参考。
我在此附上了原理图供您参考。 在我的测试板上选择的元件并不完全相同。
1) 1) EMI 滤波器替换为0r 电阻器
2)我们使用的 CMC 是 Wurth 744232102。我看到您的上一篇文章、我将尝试获得建议再次测试的 CMC。
3)尽管建议的 CMC 可能会有所帮助、但 EMC 问题似乎并未完全消除、 是否有任何替代的隔离式 DCDC、而 TI 不会有这样的高频开关？ 
谢谢！
文森特
