This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1473097/lmg3522r030-q1-conduction-in-third-quadrant
工具与软件：
您好！
是否可以使用此器件避免第三象限中的电流传导？
好的、
Oscar
您好、Oscar：
GaN 器件无法阻断反向电压。 为了避免第三象限导通损耗、如果开启器件 、则只有 Rdson 导通损耗。
此致！
Kyle Wolf
尊敬的 Kyle：
我不确定我是否 完全理解你的观点。
您的意思是、如果他们将器件保持导通状态、则只有导通损耗、而没有开关损耗？
BR
GaN 无法在反向阻断(源极到漏极)。 当从源极到漏极有电流时、如果 打开栅极或关闭栅极、导通损耗将会不同。
在从源极到漏极有电流的栅极关断情况下、导通损耗将为 VSD * ISD (VSD 可在数据表图5-6中找到)
在从源极到漏极有电流的栅极 导通情况下、导通损耗为：Irms^2*Rdson
