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[参考译文] ISOM8110：ISOM8110器件下方覆铜

admin
Guru**** 2347060 points
Other Parts Discussed in Thread: ISOM8110
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1487165/isom8110-isom8110-copper-under-the-part

器件型号：ISOM8110

工具与软件：

您好！

 数字隔离器设计指南 建议器件下方不要使用铜。 不过、我在 ISOM8110光耦仿真器的数据表中找不到任何有关这一点的参考、该光耦仿真器本质上是一个数字隔离器。 我 是否应该将所有层都保留在覆铜区下方、或者是否可以让各自的接地平面具有间隙(例如25mils/0.635mm)？ 我的信号是离散信号(无通信、仅开/关20毫秒)、在操作期间切换几次。 最好的方法是什么？

谢谢！

Tharaka Gooentilleke。

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    TI__Guru**** 2347060 points
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    您好、Tharaka、  

    感谢您联系我们。 如果器件下方有金属层、器件仍将正常工作。 但是、为了获得出色的隔离性能、建议在隔离器的隔离侧和非隔离侧之间设置一个全层排除区域。 ISOM8110DFGEVM 是隔离式布局的一个很好的示例。   

    此致！
    Andrew

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    TI__Guru**** 2347060 points
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    Andrew、您好！

    谢谢！ 是否有可能将铜保留在地下会使 EMI 增加？

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    TI__Guru**** 2347060 points
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    此处不存在 EMI 问题。 问题是、如果在隔离器下方放置铜、则会影响应用的隔离等级。  

    如果您的应用不需要通过完全隔离等级、则可以在此隔离器下方放置覆铜。   

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    TI__Guru**** 2347060 points
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    谢谢 Andrew。 这解决了我的问题。 我会将该问题标记为已解决。

    再次感谢。