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[参考译文] ISOW1044：用于 CISPR32B 的铁氧体磁珠

admin
Guru**** 2644745 points

Other Parts Discussed in Thread: ISOW1044

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1575970/isow1044-ferrite-bead-used-for-the-cispr32b

部件号：ISOW1044


工具/软件：

大家好！


我对 ISOW1044 有疑问。
是图 11-4 所示电路中使用的铁氧体磁珠。 ISOW1044 辐射发射与 CISPR32B 系列 BLM15EX331SN1？
我想知道 CISPR32B 测试使用了什么铁氧体磁珠。


此致、
Ishiwata

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    TI__Guru**** 2644745 points
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    您好、Ishiwata、

    数据表中 CISPR32 B 类的结果是在 EVM 上得出的。 用户指南： ISOW1044 具有集成低排放的增强型 5kVRMS 隔离 CAN 收发器

    EVM 用户指南中提到了原理图和 BOM。 您可以从此处引用相同的代码。

    此致
    Varun

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    TI__Guru**** 2644745 points
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    您好 Varun、

    感谢您的答复。

    数据表中推荐的铁氧体磁珠是 BLM15EX331SN1。
    EVM 中的铁氧体磁珠是 BLM18HE152SN1D。

    推荐哪一种？
    此外、我能否 使用 BLM15EX331SN1 获得与图 11-4 中的结果类似的结果？

    此致、
    Ishiwata

  • 0
    TI__Guru**** 2644745 points
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    您好、Ishiwata、

    BLM15EX331SN1 仍用于 VISOOUT 至 VISOIN 连接上的 EVM、如数据表中所述。

    BLM18HE152SN1D 是初级侧使用的铁氧体磁珠。

    此致
    Varun

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    TI__Guru**** 2644745 points
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    你好  

    下面的数据表指出、BLM15EX331SN1 应放置在电源引脚、VISOOUT 和 GND2 上。
    我知道电源引脚是指 VDD 引脚 9、但这是正确的吗？ 在这种情况下、是否建议将 BLM15EX331SN1 用于 VDD 引脚？

    推荐使用数据表还是 EVM？
    此外、请解释为什么 EVM 在初级侧和次级侧使用 BLM18HE152SN1D 和 BLM15EX331SN1。

    此致、
    Ishiwata

  • 0
    TI__Guru**** 2644745 points
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    您好、Ishiwata、

    我知道电源引脚指的是 VDD 引脚 9、但这是正确的吗？ 在这种情况下、建议将 BLM15EX331SN1 用于 VDD 引脚吗？

    这就是误解。 如果您阅读数据表中的上述第 4 点、它还提到了 VISSOUT 的引脚编号。  

    EVM  在初级侧仅使用 BLM18HE152SN1D、在次级侧仅使用 BLM15EX331SN1。 请按照 EVM 原理图进行操作

    此致
    Varun

  • 0
    TI__Guru**** 2644745 points
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    您好 Varun、

    理解数据表中将 BLM15EX331SN1 连接到 VDD 引脚的拼写错误是否正确？

    此致、
    Ishiwata

  • 0
    TI__Guru**** 2644745 points
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    您好、Ishiwata、

    这不是数据表中的一个拼写错误。

    可以清楚地看到要放置两个铁氧体磁珠、一个在 VISOUT 上、第二个在 GND2 上。

    我认为电源引脚这个词模棱两可、因此您可将其视为 VDD 的建议。 在我们的下一个数据表版本中、我们将更明确地提及次级侧电源。

    此致
    Varun

  • 0
    TI__Guru**** 2644745 points
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    您好 Varun、

    我知道数据表中的电源是指 VISOUT 和 GND2、但这一理解是否正确？

    此外、为什么 EVM 的初级侧和次级侧分别使用单独的 BLM18HE152SN1D 和 BLM15EX331SN1 芯片？

    此致、
    Ishiwata

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    TI__Guru**** 2644745 points
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    您好、Ishiwata、

    与 BLM15EX331SN1 相比、BLM18HE152SN1D 具有更高的阻抗 、有助于更好地抑制初级侧噪声。

    这种组合足以让 ISOW1044 获得所需的 RE 性能。 任何其他铁氧体磁珠组合都留给进行实验的主题、如果您认为 RE 性能达不到您的要求、可以在 EVM 上进行实验。

    我方面对此没有进一步的意见。

    此致
    Varun

  • 0
    TI__Guru**** 2644745 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Varun、

    感谢您的大力支持。


    此致、
    Ishiwata