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[参考译文] ISOM8110:共模噪声的影响

Guru**** 2610575 points
Other Parts Discussed in Thread: ISOM8110

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1576994/isom8110-the-impact-of-common-mode-noise

器件型号:ISOM8110


尊敬的专家:

我的客户对 ISOM8110 感兴趣、因此有疑问。

如果您能提供建议、我将不胜感激。

——

ISOM8110 在内部使用基于二氧化硅 (SiO2) 的隔离栅。
是否担心共模噪声会泄漏到次级侧?
这是否劣于光耦合器?

——

感谢您提前提供的大力帮助。

此致、

Shinichi

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Shinichi-San、  

    共模噪声耦合通常由 1 侧到 2 侧的电容决定。 ISOM811x 系列的势垒电容 (CIO) 为 1pF、大多数光耦合器大致相同。  因此、与光耦合器相比、我们预计不会发生明显的性能变化。   

    此致、
    Andrew

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Andrew、

    感谢您的答复。

    我与客户分享了您的答案。

    感谢您的大力帮助与合作。

    此致、

    Shinichi