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[参考译文] ISOW7840:1 侧到 2 侧 SMD 电容器的层间拼接电容

Guru**** 2644735 points

Other Parts Discussed in Thread: ISOW7841

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1587586/isow7840-interlayer-stitching-capacitance-with-side1-to-side2-smd-capacitor

器件型号: ISOW7840
主题: ISOW7841 中讨论的其他器件

您好、

我们的客户正在考虑除了内层拼接电容外、还增加一个外部 SMD 电容器、具体参考 slla368a.pdf。
 
采用 ISOW7841 集成信号和电源隔离器的低发射设计(修订版 C)  

结合使用内层拼接与外部 SMD 电容器是否能够有效地降低 EMC?

我认为、如果连接了外部侧 1 到侧 2 的高压电容器、则不需要内层拼接电容。

希望听到 TI 关于这一点的意见。

此致、
Hiroshi

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Hiroshi、

    我们建议选择层间拼接电容而不是外部 SMD 电容、因为 SMD 电容的频率限制会影响系统的 EMC 响应。

    如果客户需要比层间拼接 PCB 进一步改进、则可以将 SMD 电容器作为可选测量值。

    此致
    Varun