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[参考译文] ISOM8113:存储延迟

Guru**** 2694555 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1598425/isom8113-storage-delay

器件型号: ISOM8113

您好、  


请提供有关存储延迟参数的更多信息。 您能告诉我:

  • 存储延迟温度是否相关 — 是否有方法可以跟踪预期变化?  
  • 如果环境和 负载条件保持一致(即,仍在传输数据,但其容性/阻性负载相同)、则存储延迟是否受产品寿命的影响。
  • 光耦合器/仿真器中的存储延迟是什么因素?
  • 您是否能够提供典型的存储 时间? 我可以看到有 Ioff 典型值和 TS 最大值、但不是 TS 典型值。 如果我们共享负载条件、可以计算出这一点吗?
  • 还有哪些因素会影响存储延迟? 即正向电流/ CTR 是否起作用 ?

非常感谢

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、PJs、  

    感谢您联系我们。  

    1. 存储时间 (TS) 是 TOFF 的一个分量、在典型应用图 (如图 6-25)中对整个温度进行跟踪。 开关时间与负载电阻间的关系
    2. 由于隔离传输电路不会降级、ISOM811x 的时序特性不应相对于寿命发生变化。 光耦合器具有 LED 老化效应、因此 ISOM811x 不会出现 LED、因此会老化。
    3. 中的存储延迟
      1. 光耦仿真器是由输出电路上剩余一些电荷引起的。  
      2. 光耦合器是由 LED 的特性引起的  
    4. 是、请参阅数据表中的图 6-25(和其他曲线)。  
    5. TS 和 TR 用于计算 TS

    此致、
    Andrew   

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    您好、Andrew、  

    感谢您的快速响应。

    >>存储时间 (TS) 是 TOFF 的一个分量、在典型应用图中的温度范围内进行跟踪、如 图 6-25 所示。 开关时间与负载电阻间的关系

    谢谢、这些数字很有帮助。 如何找出 1k 负载、VCC = 6V 且 IF = 8.6mA 的典型特性。

    >> TS 和 TR 用于计算 TS

    “你说什么? 其他一些参数吗? 正向电流或 CTR 是否影响 TS?

    最后、我们是否应该考虑任何其他具有大幅缩短 TS 时间的光耦仿真器器件?

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    你好、PJs、

    可能不涵盖特定的测试条件。 您可以使用图 6-7 来估算测试条件。 集电极电流与集电极 — 发射极电压之间的关系以及图 6-13。 集电极电流与正向电流间的关系图。 如果 VCE = 6V 且负载为 1k Ω、则会导致 6mA。 这是一种饱和模式行为、其中 IC_max 是 CTR 的限值。  

    TOFF = TR+TS(如下图所示)、因为在使用上拉电阻器时输出将与 IF 信号反相。  

    CTR 会略微影响开关性能。 为了获得出色的开关结果、优先选择更高的 CTR 型号。  

    此致、
    Andrew