器件型号: ISOM8113
您好、
请提供有关存储延迟参数的更多信息。 您能告诉我:
- 存储延迟温度是否相关 — 是否有方法可以跟踪预期变化?
- 如果环境和 负载条件保持一致(即,仍在传输数据,但其容性/阻性负载相同)、则存储延迟是否受产品寿命的影响。
- 光耦合器/仿真器中的存储延迟是什么因素?
- 您是否能够提供典型的存储 时间? 我可以看到有 Ioff 典型值和 TS 最大值、但不是 TS 典型值。 如果我们共享负载条件、可以计算出这一点吗?
- 还有哪些因素会影响存储延迟? 即正向电流/ CTR 是否起作用 ?
非常感谢

