Other Parts Discussed in Thread: ISO7741-Q1, ISO7841
器件型号： ISO7810
主题中讨论的其他器件： ISO7741-Q1、 ISO7841
我需要驱动一个 MOSFET 栅极、该 MOSFET 栅极将在 3000Vdc 下浮动。 我可以使用隔离式栅极驱动器或数字隔离器和非隔离式栅极驱动器。
电路将被灌入高压 RTV 中、因此封装和电路板爬电不是问题。 TI 制造了哪些隔离器件、灌封后可在 3000Vdc 下保持可靠？
您好 Bob：
很抱歉耽误您的时间、感谢您的耐心等待。
我和我们团队的一些专家进行了交谈。 如前所述、采用 DWW 封装的 ISO7741-Q1 是我们目前提供的最高工作电压额定值器件。 您能否确认系统中 3000Vdc 工作电压的使用情况？
我想提一下、ISO7741-Q1 的工作电压额定值为 28VDC VIOWM。 此外、正如您提到的那样、一些绝缘测试和参数是在油中进行测试的、例如 VIOSM 规范、额定电压为 12.8kVpk。
由于您提到的工作电压高于 TI 承诺的器件使用寿命内的器件额定值、因此我们无法保证在更高的工作电压下运行器件。 要了解在较高工作电压下运行时器件寿命会受到怎样的影响、请查看所示的 TDDB 图（也可在数据表中找到）：
此致、
Aaditya.
您好 Bob：
很抱歉、我们花了一些时间来回答您的问题。
正如 Aaditya 已经指出的、采用 DWW 封装的器件 ISO78xx 额定电压为 2828VDC。 这不是受 DWW 封装爬电距离限制的等级、而是固有芯片能力。 ISO7841 数据表中的 TDDB 图绘制了在给定工作电压下的预期工作寿命（下文也复制了该图，供您参考）。 请注意、应力电压以 RMS 为单位。
尽管该器件经过鉴定（高达 2000Vrms）、并且有 VDE 定义的裕度、但您可以清楚地看到、该器件能够在更高的工作值下提供合理的工作寿命。
由于您请求的 3000VDC 工作电压略高于 2828VDC 的合格工作电压、并且在额定工作电压基础上有 VDE 裕度、因此我可以确认在 3000VDC 下使用 ISO78xx 系列器件的风险可以忽略不计。 因此、我没有看到在 DWW 封装中使用 ISO78xx 并进行 3000VDC 灌封的任何主要风险。
如果这样回答了您的问题、请告诉我、谢谢。
此致、
Koteshwar Rao
