This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] ISO7821:关于故障

Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: ISO7821, ISO721
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1093511/iso7821-about-malfunction

部件号:ISO7821
主题中讨论的其他部件: ISO721

尊敬的技术支持团队:

<问题1>
故障(输出逻辑反转),假定输入信号或电源电压不存在异常
请告诉我是否有任何可能导致这种情况的因素。
我们了解在CMTI>150kV/US下发生故障的风险。
例如:

强电场超过xxx  kV/m

xxx  μT上的强磁场

低于xxx 输入信号 dv / dt

我可以找到以下有关旧数字隔离器的文档。 它对ISO7821有用吗?

数字隔离器E场灵敏度

https://www.tij.co.jp/lit/an/slla267/slla267.pdf?ts=1649839141374&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F

ISO72x数字隔离器磁场抗扰性

https://www.ti.com/lit/an/slla181b/slla181b.pdf?ts=1649900867212

<问题2>
我想详细了解信号传输的方法和原理,以使其能够被披露。
(当输入信号为H时如何保持输出H等)
从这篇内容中,最好可以说,如果CMTI满足要求,故障系数仅限于不现实的模式。

我看到此文档,它对于理解信号传输方法非常有用

基于1.2 开-关键控(OOK)的通信
www.ti.com/.../slla284d.pdf


<问题3>
如果有文档将故障容差与磁耦合隔离器或使用脉冲变压器的信号传输方法进行比较。
请您提供吗? 特别是,最好使用脉冲互感器方法来比较材料。

此致,

TTD

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好,

    感谢您联系我们,请在下面找到我对您列出的问题的意见。

    <问题1>
    故障(输出逻辑反转),假定输入信号或电源电压不存在异常
    如果有任何可能导致此问题的因素,请告诉我。[/QUOT]

    违反数据表建议的操作条件或规格可能会影响设备的功能。 这也包括CMTI,正如您所指出的。 µs支持最小100kV/m Ω 的CMTI,如果噪音较快,则会影响输出。

    直接暴露时,该设备可承受高达15V/m的外部辐射,但如果该设备位于外壳或应用板/终端设备中,则通过水平可能更高。

    该设备对磁场的抗扰性非常高。 您指出的应用说明(SLLA181)中谈到的磁场抗扰性指的是较旧的设备系列,但同样适用于ISO7821。

    <问题2>
    我想详细了解信号传输的方法和原理,以使其能够被披露。[/QUOT]

    您指出的应用手册(SLLA284)描述了OOK调制方案的工作原理。 ISO7821数据表中也提供了相同的说明。 虽然这是一个小部分,但它涵盖OOK调制方案的工作原理,特别是因为它是简单的调制方案。 我相信本节已完成,如果您有任何其他具体问题,请告诉我。

    <问题3>
    如果有文档将故障容差与磁耦合隔离器或使用脉冲变压器的信号传输方法进行比较。[/QUOT]

    很抱歉,我没有电容式,磁性隔离器和脉冲变压器之间的任何比较数据,尤其是在故障容差方面。 谢谢。


    此致,
    Koteshwar Rao

    [/quote]
    [/quote][/quote]
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好,Koteshwar Rao,

    感谢您的回复, 很抱歉我的回复。

    如果您能从理论上解释TI隔离器为什么对磁场有抵抗力,将会很有帮助。

    您说:

    直接暴露时,该设备可承受高达15V/m的外部辐射,但如果该设备位于外壳或应用板/终端设备中,则通过水平可能更高。

    ⇒存在外部辐射,但它是否是单位(V/m)的电场强度?

    您说:

    该设备对磁场的抗扰性非常高。 您指出的应用说明(SLLA181)中谈到的磁场抗扰性指的是较旧的设备系列,但同样适用于ISO7821。

    ⇒OOK方法在磁场抗扰性方面是否优于基于边缘的ISO721? 如果OOK方法具有更好的磁场抗扰性,如果您可以提供文档将会很有帮助。

    此致,

    TTD

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好,TTD,

    感谢您的回复。

    如果4059858528如果您能从理论上解释TI隔离器为什么对磁场具有抵抗力,将会很有帮助。

    由大型感应电路组成的设备通常容易受到外部磁场的影响。 TI电容隔离器在电路中不使用太多电感,因此不会受到外部磁场的影响。 内部电路确实具有寄生电感,但通常较小且具有补偿性。 因此,外部磁场不会对设备产生影响。

    ⇒40.5985万⇒存在外部辐射,但它是来自装置(V/m)的电场强度吗?

    是的,电场和外部电辐射是相同的。 它们的测量单位为V/m

    ⇒4059.8528万⇒OOK方法是否优于基于EDGE的ISO721关于磁场抗扰性? 如果OOK方法具有更好的磁场抗扰性,则您可以提供文档将很有帮助。[/QUOT]

    由于OOK和基于边缘的设备都不依赖于感应设计,因此这两种设备不会受到外部磁场的同等影响。 两者对外部磁场具有同等的免疫力。

    我希望这能解答您的进一步问题,谢谢。


    此致,
    Koteshwar Rao