主题中讨论的其他器件: SN6505B、 SN6505A
大家好、我有一个关于 SN6501推挽驱动器的问题、还有一个关于驱动隔离脉冲变压器的一般问题(!) 理论上、我能否驱动两个与 SN6501并联的变压器? 只要总电流消耗在技术规格范围内并且两个变压器都具有合适的额定电流/SAT 电流/V-t 产品技术规格? 这将使我能够产生两个具有最小面积的独立用品,这将是非常有用的。
非常感谢、
Dave
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大家好、我有一个关于 SN6501推挽驱动器的问题、还有一个关于驱动隔离脉冲变压器的一般问题(!) 理论上、我能否驱动两个与 SN6501并联的变压器? 只要总电流消耗在技术规格范围内并且两个变压器都具有合适的额定电流/SAT 电流/V-t 产品技术规格? 这将使我能够产生两个具有最小面积的独立用品,这将是非常有用的。
非常感谢、
Dave
您好、Manuel、
起初、我以为在驱动两个变压器时磁芯磁化可能会有问题、但在考虑过磁芯磁化后、我相信自己不会有问题。 我的帖子的目的是确认我正在正确地思考它。
我想说的是、SN6501数据表中有一段内容在 SN6505数据表中缺失、这似乎是非常好的信息。 这是第8.3.2节末尾的一段。 这是以"幸运的是,由于 MOSFET 导通电阻的正温度系数"开头的一种方法。 SN6505数据表中没有出现此段落的原因是什么? 它是否也适用于 SN6505?
磁芯磁化问题是否完全是由于 SN650x 电路的时序存在微小误差、从而使一个晶体管导通的时间比另一个晶体管长? 如果 SN650x 没有这些微小的时序差异、那么整个磁芯磁化部分可以省略吗? 如果答案是肯定的、那么我就正确理解了。 否则、我会有更多的想法、因为其他因素会影响磁芯磁化。
我复制了数据表中的原理图、并在其中添加了第二个变压器。 这使我能够更好地形象化电路、并得出结论、磁芯磁化不适用。 SN650x 基本上会看到一个电感器、它实际上是两个并联的电感器? 原理图如下:
随着晶体管升温、RDS 会增大、这会导致 VDS 增大、这会导致 VP 减小、因为 VIN 是一个常数。 我看不到两个并联变压器会如何影响这一点。
感谢您的帮助!
此致、
Greg
我对此有一个其他的想法。 根据数据表、磁通密度约等于 Vp x ton。 假设两个晶体管的 Ton 完全相同、如果变压器的构造不完美、会怎么样? 如果中间抽头错误放置、两个晶体管的 VP 将不相同、因为由于电阻稍有不同、一个桥臂中的电流将比另一个桥臂中的电流更大。 这是否会导致磁化漂移? 如果是、这与吨位误差有何不同? Wurth 变压器的数据表显示、匝数比的误差规格最大为2%。 我不确定这是否适用于中心抽头的定位。
此致、
Greg
您好、Greg、
感谢您的发帖! SN6501数据表中第7.3.2节末尾提到的段落 也适用于 SN6505器件。
磁芯磁化不平衡的问题确实来自开关器件(SN650x)中的微小潜在误差、正如您在第二篇文章中提到的、中心抽头和外部引脚之间变压器绕组的轻微误差。 在这两种情况下、D1和 D2中的 FET 将根据流经每个引脚的电流进行加热、从而帮助保持 V-t 平衡稳定。 在某些情况下、磁芯可能会由于较大的外部磁场而饱和、而这种自调节可能不足以满足要求。 在大多数数据表中、变压器匝数比容差是指总初级匝数与总次级匝数比之间的失配。
两个并联绕组的原理图确实显示了 SN650x 如何"看到"两个变压器系统、而两个(或更多)并联变压器时、对每对绕组应用相同的自校正效果。 推挽式变压器驱动器的优点是允许这种情况的部分原因:它们与各种变压器和电感兼容。
请告诉我上述信息是否有用!
尊敬的、
Manuel Chavez
非常感谢 Manuel! 您的回答非常有帮助。 感谢您确认不存在磁芯磁化问题。
我努力尊重 Dave 的原始帖子、并使我的帖子与他的主题保持一致、以便讨论有帮助且相关。 我还有一个问题、我认为它与本主题相关。 您曾说过"在某些情况下、磁芯可能会由于较大的外部磁场而饱和、而这种自调节可能不足以满足要求"。 在使用两个变压器时、您是否会评论 PCB 部件的放置方式? 我的问题是变压器之间的耦合。 是否有建议的间距? 是否有一个相对于另一个的首选方向? 是否存在与放置相关的 EMI 问题? 下面是两个示例,用于说明我的想法(我不想在其中放置 SN6501):
环形电感器在包含场方面是否相当好? 也许这不是一个大问题?
再次感谢您的卓越支持!
此致、
Greg
您好、Greg、
不用客气! 我们很乐意为您提供帮助:)为了便于将来参考,可以使用此窗口右上角的黄色“+提出相关问题”按钮在新主题中链接线程的其他问题或后续问题。
不建议放置两个变压器、因为这不是典型配置、客户也没有报告变压器在多变压器配置中相互干扰的问题。 变压器的磁芯中将包含大部分磁场、因为它的运行方式类似于分流器以实现最佳的磁耦合、因此可以选择变压器的放置方式作为最方便 PCB 布局的位置、 或者、为了保持布局对称、类似于您所共享的顶部布局的布局有助于保持低辐射发射:
最棒的
Manuel Chavez
您好、Manuel、
感谢您回答该问题。 到目前为止、您的所有答案都是一个好消息! 我认为布局方向是最紧凑、布局最容易的。
我看到有一种方法可以让用户查看某个线程是否作为与另一个线程相关的问题启动。 页面顶部有一个显示"原始问题:"的链接和指向该问题的链接。 这很有帮助。 但是、从父线程开始时、是否有办法查看相关线程? 我意识到线程可能会脱离手部并偏离主题、因此最好保持线程较短。 但是,如果不能方便地查看相关问题,就很可能会错过有关该主题的相关信息,而不进行详尽的搜索。 现在、我正在讨论话题! 您无需回答此问题、除非您可以轻松地向我指出此功能的位置。 否则、我将在现场支持论坛中提出此问题。
感谢您在本主题上提供的所有帮助。 我对使用多个变压器感到非常舒适、而 SN6505B 可能是更好的器件。
此致、
Greg
我很高兴它对你也很有帮助 Dave :-)。 我刚想再问一个问题、然后我将转到相关主题。
Manuel、SN6501是否能够实现比 SN6505更好的自调节? 我认为 SN6501的 RDS 大于 SN6505、这将使 MOSFET 升温更多、从而导致更大的压降。 或者、SN6505的 RDS 是否足够、它也会进行自稳压? 有时情况并非更好、如果 SN6501具有功率功能、它可能更适合。
此致、
Greg
尊敬的 David:
不用客气!
Greg、
在站点支持论坛上查看父线程时、请询问有关查看相关线程的问题、因为这目前不是 E2E 的功能。
虽然 SN6505器件的 Rds-on 值低于 SN6501、但同样的原理适用、在存在内核不平衡的情况下、SN6505的运行条件与 SN6501的运行条件相同、甚至不会优于 SN6501。 这是由于 SN6505的内置安全特性(电流限制、热关断)和 SN6505B 的更快开关频率(减少了可用的 BH 曲线的使用量、从而在饱和前提供更大的裕度)。 较低 Rds-on 的另一个好处是系统效率更高、尤其是在负载电流较高时。
如果低辐射是设计中的首要考虑因素、则 SN6505A 应产生辐射最低的电路、但由于开关频率较低、因此需要权衡 V-t 积更高的要求。
感谢您的两个!
Manuel Chavez
谢谢 Manuel 教授! 如果您有兴趣、这里是我在"网站支持"论坛中创建的主题的链接。 您可以随时加入并支持事业! 希望他们会说他们已经在实施它。
https://e2e.ti.com/support/site-support/f/1024/t/981310
我希望他们能够添加此功能、因为在网站上爬网真的很有帮助。
感谢您提供有关 SN6505的信息、它具有更多的功能、并且可能比存在内核不平衡的 SN6501性能更好。 我之前提到的一个问题是有关安全功能的问题、我将在新的主题中节省这些功能。
对你们双方都是最好的。
Greg