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器件型号:ISO7721-Q1 您好、TI、
ISO7721-Q1数据表提到"ISO772x 器件在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 的同时、可提供高电磁抗扰度和低辐射、且具有低功耗特性"。 那么、这种高电磁抗扰度有哪些众所周知的特性呢? 例如与 EN 61000-4-3相关?
此致、
Anjana G
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您好、TI、
ISO7721-Q1数据表提到"ISO772x 器件在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 的同时、可提供高电磁抗扰度和低辐射、且具有低功耗特性"。 那么、这种高电磁抗扰度有哪些众所周知的特性呢? 例如与 EN 61000-4-3相关?
此致、
Anjana G
您好、Anjana、
感谢您深入了解并关注 ISO7721-Q1。
高电磁抗扰度是指针对许多 EMI 噪声和瞬态测试的许多高性能隔离栅。 其中包括浪涌、ESD、EFT 和辐射抗扰度等。
对于您根据 EN 61000-4-3标准提出的辐射抗扰度性能问题、ISO7721-Q1满足3级(10V/m)要求、这是我们从客户那里看到的最常见的要求。 另请注意、实际性能取决于整个终端设备及其屏蔽方式。 在很多情况下、我们看到客户报告终端设备级别的性能比10V/m 高得多。
如果您有任何与 ISO7721-Q1相关的其他问题、请告诉我、谢谢。
此致、
Koteshwar Rao