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[参考译文] ISOW7842:ISOW7842

Guru**** 2013590 points
Other Parts Discussed in Thread: ISOW7842
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/971236/isow7842-isow7842

器件型号:ISOW7842

我们在物联网设备中使用 ISOW7842。 我们在之前和之后都遇到了辐射发射问题,我们解决了 VCC 线路上的拼接电容器和铁氧体问题。

目前设备已通过 CISPR 25 A 类限制,具有良好的裕度,符合 B 类限制,具有1-2dB 的裕度。

由于它是一款物联网设备,因此设备还应满足 WiFi 辐射杂散发射测试要求。 我们看到了520MHz 和570Mhz 宽带性质的隔离器噪声。噪声超出限制2-3dB ,尝试在 GND 之间屏蔽和外部电容器,未观察到有希望的结果。  

请您建议快速解决问题。  

此隔离器 IC 以前是否通过过 测试以在任何产品中进行辐射杂散发射测试?  或者 不建议在 物联网无线电环境中使用此 IC。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Dilip:

    感谢您将信息发布到 E2E 并分享上述详细信息。 我们不希望 ISOW7842通过辐射杂散发射测试、但由于内部开关频率较低、我们无法确认隔离器是否是520MHz 和570MHz 下的发射源。 如果问题是由隔离器引起的、快速解决方法可能是在 GND1和 GND2之间焊接一个 Y 电容(直接焊接到器件引脚上)并重新测试、任何值大于100pF 的 Y 电容都应进一步减少隔离器的发射。

    您实现的拼接电容器的电容值是多少? 我们建议在需要减少辐射时将电容值从30pF 更改为>100pF。 另请分享您在此系统中使用的铁氧体器件型号和 ISOW7842的 Vcc1工作电压。


    谢谢、
    Manuel Chavez

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    尊敬的 Dilip:

    只需检查您是否能够共享 Manuel 请求的信息、以便我们在解决您的问题时提出进一步的建议。

    [引用用户="Dilip Kumar1"]目前该单元正以良好的裕度通过 CISPR 25 A 类限制,以1-2dB 的裕度满足 B 类限制。[/引用]
    我看到您在 VCC 线路上使用了拼接电容器和铁氧体来减少辐射发射、您似乎已经满足了您的终端设备发射要求。 您能否确认您是要参考 CISPR 22 A 类/ B 类、还是确实是指 CISPR 25?

    [引用用户="Dilip Kumar1">由于其为物联网设备,设备还应满足 WiFi 辐射杂散发射测试要求。 我们看到了520MHz 和570Mhz 宽带性质的隔离器噪声。噪声超出限制2-3dB ,尝试在 GND 之间屏蔽和外部电容器,未观察到有希望的结果。  [/报价]
    您是否能够分享有关 WiFi 辐射杂散发射测试的精确程度的更多详细信息?

    [引述 USER="Dilip Kumar1">IS ISOLISOLator IC 先前通过测试 ,用于测试任何产品的辐射杂散发射。  或者 、是否不建议在 物联网无线电环境中使用此 IC。[/quot]
    是的、我们看到其他客户在同一 PCB 上近距离使用 ISOW 器件和无线电模块。 如果无线电模块放置在非常靠近 ISOW 器件且位于同一 PCB 上、则 WiFi 模块的灵敏度可能会降低一点。 改进这一点的一个可靠方法是实施缝合电容器、我看到您已经完成了这项工作。 如果您提供以下所需信息、我将能够审查您的设计并提出改进结果的建议。 请分享以下信息、

    1. 原理图和 PCB 布局
    2. 实现拼接电容器的价值是什么?
      1. 需要最小30pF 来查看任何改进、需要最小50pF 来查看中等改进
    3. 分享与 WiFi 辐射杂散发射测试相关的详细信息
      1. 我们没有自己完成此测试、但我相信在其应用中使用 ISOW 的客户已经完成了此类测试
    4. 使用的铁氧体的详细信息

    此致、
    Koteshwar Rao

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    这里是原理图和布局,

    我们对空间有一些限制,因此根据计算,内部并联板电容器值将大约为5pF。

    辐射杂散发射测试是符合 EN300328标准要求的 ASP。

    我们有塑料外壳、而不是金属外壳。

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    e2e.ti.com/.../8585.Isolator.pptx

    下面是设计详细信息和 RSE 测试限制

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    尊敬的 Dilip:

    感谢您按要求分享详细信息。

    使用内部 PCB 层形成的5pF 拼接电容太低、无法看到很大的改进。 请检查是否可能实现更高的值、至少30pF。

    关于 VCC 线路上使用的铁氧体磁珠(FB)、FB 可提供适当的阻抗、但在您发现问题的频率(520 - 570MHz)下的阻抗不大。 由于隔离器的辐射属于共模性质、因此在 VCC 和 GND 线路上使用这些 FB 非常重要。 仅在 VCC 线路上使用这些 FB 可能无效。

    或者、也可以使用共模扼流圈(CMC)、以便为所需频率提供更高的阻抗。 我们建议您在 ISOW 的输入和输出电源引脚上使用共模扼流圈(CMC)、如下图所示。

    I/O 线路上的铁氧体磁珠是可选的、如果数据速率不是很高、您也可以选择使用> 1kΩ Ω 的电阻器。 请确保所有 I/O 信号均以 CMC 之后的 GND 点为基准、而不是 ISOW 器件 GND 引脚。 ISOW 器件 GND 和 GNDISO 引脚应保持在器件本地、所有信号 I/O 应仅参考 CMC 之后的 GND 点。

    在所需频率下,CMC 的阻抗应大于1kΩ Ω,下面列出了我们建议的一些 CMC 部件号示例。

    CMC - 200mA、15kΩ- TDK - ACT1210-510-2P

    2. CMC - 200mA、20kΩ- TDK - ACT45B-510-2P

    3. CMC - 200mA、10kΩ- Wurth - 7442355510

    由于 CMC 可为共模噪声提供显著的阻抗、因此单靠 CMC 可能足以满足要求改进、并且可能不需要拼接电容器。 或者、如果需要的改进很小、也可以使用 FB 代替 CMC。 在 VCC 和 GND 线路上使用 FB 来替换 CMC。

    如果您能考虑这些建议、请告诉我、谢谢。

    此致、
    Koteshwar Rao

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    尊敬的 Dilip:

    我希望您从我们的终端获得必要的输入、以解决您在 RSE 测试中看到的辐射发射问题。 我将继续并将该线程标记为已关闭。 实施建议并进行相应测试后、请务必告知我们您的观察结果。

    如果您有任何其他问题、您只需回复此帖子。 谢谢。

    此致、
    Koteshwar Rao