[参考译文] 满足隔离式栅极驱动电源要求的12V 变压器驱动器

尊敬的 Damith：

感谢您发帖到 E2E！ 虽然 TI 目前没有支持12V 电压的 SN6505版本、但我们建议使用这些具有 HV FET 的器件配置来完成隔离式推挽式电源设计、如下所示：



外部组件的额定值决定了最终的系统规格、但可以使用 Vgs_th <5V、Vds >24V 和最小 RDS_ON 的 FET 生成12V/1A 电源。 这是您想要寻求的解决方案吗？


谢谢、
Manuel Chavez

你好 Manuel

非常好。  
这似乎是解决方案。
请也回答以下问题。

由于我们使用 MOSFET 来驱动 TF，是否可以使用 SN6501而不是6505？..
此外、是否可以使用单个 SN650x 驱动器来驱动建议方法的多个 MOSFET 变压器布置？  (以获得多个12V 输出)。
3.如果是上述情况(2.) 则此类 MOSFET 变压器布置的最大数量是多少。
4、在 这个12V、12V 系统中、我是否可以使用为 SN650x 器件设计的5V、5V 推挽式变压器。
5.除 SN650x 系列外，TI 是否还有其他可从12V 电压驱动的 IC？

在这个系统中、MOSFET 源被连接至驱动器。 是否有方法连接栅极并驱动 MOSFET。？

谢谢你
Damith

尊敬的 Damith：

我们很高兴为您提供帮助！ 以下是对您的问题的相应回答：

1. SN6501可用于代替 SN6505、但其灌电流能力较低：最大初级侧电流为350mA、而 SN6505最大为1A。 在此拓扑中、SN650x 与 FET 漏极和源极串联、因此它仍然必须灌入负载电流、如变压器初级侧所反映的那样。
2. 是的、如果遵循与以下连接类似的连接、则可以执行此操作：
   
   
   
   如果遵循我之前的响应中共享的高压拓扑、则可以在 HV FET 的"右侧"进行并联变压器连接。 如果您对此拓扑或变压器/元件选择还有其他问题、请告诉我。
3. 只要不超过 SN650x 器件的额定电流、一个 SN6505或 SN6501器件就可以支持多个连接。 这意味着组合的预期隔离负载电流和寄生效应必须在1A 或350mA 的 I_D1/I_D2规格范围内。
4. 这是一个特定于变压器的问题。 匝数比可能适合5V：5V 和12V：12V 运行、但 变压器的 V-t 积 可能不够。 请分享变压器器件型号、我将确认它是否可用于12V：12V 工作。
5. 还有其他 TI 芯片不使用推挽式拓扑来创建 LM25180等隔离式电源轨。 请从 该网页开始、在 TI.com 上搜索隔离式电源器件。
6. 有一种方法可以将这些 FET 的栅极连接到 SN650x -如下所示-尽管在此配置中 SN6505的一些优势(如电流限制、热关断和扩频)会丢失：
   
   

请告知我们您还有任何疑问！


谢谢、
Manuel Chavez

你好 Manuel

感谢您的讲解

我得出以下结论。 如果我错了、请纠正我的问题。

我计划在 MOSFET 栅极驱动电源上使用此功能
假设一个苔藓驱动器组合需要100mA 的连续电流。
然后、我们可以 将大约9个1：1变压器并联到 SN6505B 和 HVmosfets。
计划的驱动电压为12V。  因此、计算得出的伏秒值大约为17.9Vus。
在 sn6505数据表中、推荐使用器件型号为750315240的变压器。
建议用于 SN6505A、3.3-3.3和1A。 它的 Vus 值为23。
这意味着、我可以将其用于 SN6505B 的设计。


还有另一个问题。 在 DigiKey 等在线网站中、它们有一个参数、该参数具有特定频率下的电感值。 如何使用它来选择 合适的变压器。
如果站点中未提供伏秒值、则如何根据可用数据计算该值。

谢谢你
Damith