This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/951487/iso7710-iso-isolators-narrow-body-working-voltage-in-molded-application
16引脚 SOIC 宽体(DW) 和8引脚 SOIC 窄体(D)之间存在很大差异。 最大的差异在于最大工作隔离电压、DW 具有1500V RMS、而 D 只有400V RMS。 外部间隙差异也很大(DW 8 mm -> D 3.7 mm)。
当所有电子元件都使用环氧树脂模制时、是否可以在系统中使用更大的工作电压？
Zajc Franc
您好、Franc、
感谢您关注 ISO7710并与我们取得联系。 两种封装之间的外部间隙/爬电距离差异主要是由于它们的物理尺寸差异。 由于间隙/爬电距离较低、因此无法在更高的工作电压下使用 D 封装。
当 ISO7710的 D 封装采用环氧树脂模制时、我们希望它支持更高的工作电压、但我们的 D 封装工厂测试是根据数据表额定值完成的。 因此、除了数据表中的内容、我们无法保证任何更高的额定电压。
请问您的工作电压要求是多少？ 没有考虑使用 DW 封装的具体原因是什么？
此致、 Koteshwar Rao
感谢您的回答。
我正在设计栅极驱动电路和功率级、其中包含3个并联 SiC 功率 FET、在一个 PCB 上以800VDC 运行。 该完整电路板具有6个功率晶体管、功率晶体管功率为10kW (100Arms)、不带冷却功能、尺寸非常小-仅为35 x 89 x 6mm。 开关频率高达500kHz。 由于存在并联 和极高频率、因此所有距离也非常小。 板载元件(功率 晶体管和电容器除外) 不超过2 x 3mm。
您好、Zajc、
感谢您分享背景、这有助于我更好地了解情况。
我确实知道满足解决方案尺寸要求对您来说有多大的挑战。 请查看我在下面提供的有关您的问题的输入、
采用 D 封装的设计支持比数据表中引用的更高的隔离额定值、我看到您的应用已经过测试、没有任何问题。 因此、当您使用环氧树脂涂层时、您希望能够更好地满足您的要求。 当器件采用环氧涂层时、我不希望您看到在满足您的要求方面出现任何问题。
尽管如此、我还是要指出、我们的器件规格保证仍然仅限于您在 D 封装数据表中看到的规格。
我看到您使用了变压器来驱动脉冲、您是否也看到了使用具有环氧树脂涂层的 ISO77xx 来隔离这些信号的可能性？ 我们希望数字隔离器能够提供更好的性能。 谢谢。
你(们)好
