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[参考译文] ISO1211:我尝试向 ISO1211添加高压保护器

Guru**** 2389190 points
Other Parts Discussed in Thread: ISO1211
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/774363/iso1211-i-tried-to-add-a-high-voltage-protector-to-iso1211

器件型号:ISO1211

我在 ISO1211的输入端添加了一个高电压保护器(ww1.microchip.com/.../AN-D66.pdf)、希望将输入电流限制在10mA 以下、以防止对输入端施加意外的高电压、但它无法正常工作

当绕过保护电路时、ISO1211在施加30V 电压时工作正常(其输出1)、但在使用保护电路时、ISO1211在输入端施加30V 电压时输出0。

我在这里错过了什么?

注意:请忽略 N 沟道耗尽模式 MOSFET 的不准确符号

感谢您的任何指示!

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    David、

    向双向限流器电路的输入施加30V 电压时、SENSE 引脚上的读数是多少?

    尊敬的、

    卢卡斯

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    当我断开保护电路和 ISO1211之间的连接并向输入施加30V 电压时、保护电路的输出电压为30V (此时 ISO1211上的 IN 大约为0V)、 但是、一旦我重新连接保护电路和 ISO1211、ISO1211上的输入电压读数大约为3V。 我尝试将两个 MOSFET 之间的500欧姆电阻短路、使保护电路始终导通、结果是相同的。
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    David、

    一旦连接到 ISO121x、保护电路似乎会导致过压太大。 您使用的 MOSFET 的导通阻抗通常为850ohm、这可能是造成这种情况的原因。 您是否考虑过缓解高电压暴露的任何替代方案? 可能是 TVS 二极管还是压敏电阻?

    尊敬的、
    卢卡斯
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    ISO1211的规格表并未详细说明其在"和"意义"中的含义。

    如果我们根据压降(30->3V)将高电压保护电路设置为1.7K (850x2)、ISO1211的 IN/SENSE 的等效阻抗小于200欧姆。 当需要处理24-60V 输入时、这种想法似乎并不是很舒服

    谢谢!
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    很抱歉、我在这里的回复延迟了。 ISO1211已经具有内置电流限制(2.25mA)。 因此、外部电路绝不会达到其电流限值、并允许将高电压(>60V)施加到 ISO1211上、从而损坏它。

    从所用耗尽型 MOSFET 的 D/S 来看、电流限制电路将无法工作(FET 没有足够的驱动)。即使串联500欧姆电阻短路、VGS=0时的电流也是 ISO121x 可靠工作所需的~1.6mA < 2.25mA。 当存在500欧姆电阻时、要在输入路径中建立2.25mA 电流、其中一个 FET 必须具有-2V VGS、此时 FET 处于良好且真正关闭状态。

    尊敬的、

    卢卡斯

     

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    谢谢!