我在 ISO1211的输入端添加了一个高电压保护器(ww1.microchip.com/.../AN-D66.pdf)、希望将输入电流限制在10mA 以下、以防止对输入端施加意外的高电压、但它无法正常工作
当绕过保护电路时、ISO1211在施加30V 电压时工作正常(其输出1)、但在使用保护电路时、ISO1211在输入端施加30V 电压时输出0。
我在这里错过了什么?
注意:请忽略 N 沟道耗尽模式 MOSFET 的不准确符号
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我在 ISO1211的输入端添加了一个高电压保护器(ww1.microchip.com/.../AN-D66.pdf)、希望将输入电流限制在10mA 以下、以防止对输入端施加意外的高电压、但它无法正常工作
当绕过保护电路时、ISO1211在施加30V 电压时工作正常(其输出1)、但在使用保护电路时、ISO1211在输入端施加30V 电压时输出0。
我在这里错过了什么?
注意:请忽略 N 沟道耗尽模式 MOSFET 的不准确符号
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很抱歉、我在这里的回复延迟了。 ISO1211已经具有内置电流限制(2.25mA)。 因此、外部电路绝不会达到其电流限值、并允许将高电压(>60V)施加到 ISO1211上、从而损坏它。
从所用耗尽型 MOSFET 的 D/S 来看、电流限制电路将无法工作(FET 没有足够的驱动)。即使串联500欧姆电阻短路、VGS=0时的电流也是 ISO121x 可靠工作所需的~1.6mA < 2.25mA。 当存在500欧姆电阻时、要在输入路径中建立2.25mA 电流、其中一个 FET 必须具有-2V VGS、此时 FET 处于良好且真正关闭状态。
尊敬的、
卢卡斯