您好 Hugo、

ISOW7841的发射受布局和工作条件等因素的影响。您能否提供有关设置的更多详细信息？例如、Vcc 和 Viso 值是什么？ Viso 上的负载是多少？

如果使用本应用报告中的注意事项进行设计、则 PCB 布局可以极大地提高性能。请鼓励我们的客户查看其电路板布局、以确保如链接的应用报告中所述包含拼接电容器和 y 电容器。此 E2E 博文中提供了有关共模扼流圈的其他注释。

这有帮助吗？请告诉我！

感谢您在 E2E 上发帖、

Manuel Chavez

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1761415 points

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您好、先生、

感谢您的回答、
VCC=5V、VIOS=5V SEL=VIO
VISO 负载需要与客户进行检查。

我们看到图5中的应用具有射频。
建议的价值是什么？

Hugo

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1761415 points

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1) 1) 在输入和输出中使用 CM 扼流圈、阻抗大于1K、用于频率。在重新测试中小于100MHz

2) 2)根据 TI 的应用手册制作拼接电容。对于频率再测试中> 200MHz

3) 3)在这些变化之后、祝您好运。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1761415 points

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您好 Harish、
感谢您的输入帮助减少辐射发射。感谢您的支持。

您好 Hugo、
很遗憾听到客户面临辐射发射问题。

我看到您共享了两组发射图-一组仅使用 EUT、另一组使用 USB、LAN、RS-232等所有接口添加 USB、LAN、RS-232等接口后、您能否与我们分享客户的具体含义？这是否意味着他们要添加一个包含所有列出的接口的通信板？

我看到、添加所有接口时、辐射会高得多、超过高达20dB。大多数辐射的频率大于200MHz，这说明测试设置没有太多不必要的电缆。为了减少200MHz 以上频率下的辐射发射，建议使用内部 PCB 层实施拼接电容器，并实现>50pF 的值。有关实施拼接电容器的更多信息、请参阅应用手册 SLLA368b 第4节。实施拼接电容器后、您应该会看到良好的结果。谢谢。

此致、
Koteshwar Rao

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1761415 points

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您好、先生、

感谢您的解释。

我们的客户告诉我、VISO 负载<20mA (5V)、

但对于测试 COM 端口只有电缆、不为 EMI 加电的器件超出规格。

如果注意"仅 EUT"未连接到任何 DEICE (USB/LAN/RS232/DP)、则 USB/LAN/RS232/DP 连接器位于同一 PCB 上。

它们尝试将 COM 端口金属外壳连接到 GND、EMI 400~500MHz 基极将降低。

他们怀疑这个问题是来自 COM 端口。

我们有一些问题、请您向我分享您的建议吗？

Q1、我们看到 TIDA-00893和 slla368b 具有不同的 CI 方程。我们可以参考哪一个？

Q2，我们尝试按如下方式计算 CI 值，需要更改为>50pF？我看到 D (mm)仅为0.1有任何风险？

Q3、slla368b 图5 (RF+L1)和图13 (共模扼流圈)为了减少辐射、这是 PCB 上唯一的一个还是两者都使用？

Hugo

	K=er (FR4为4.2)	EO (F/m)	D (mm)	L (mm)	宽(mm)	C (pf)
PCB	4.2.	8.854E-12.	0.6.	77.3	6.28.	3.00868E-11.	TI 参考设计
PCB	4.2.	8.854E-12.	0.1.	30.8.	2.62.	3.00083E-11.	客户 COM1
PCB	4.2.	8.854E-12.	0.1.	20.16.	4.01	3.00624E-11.	客户 COM2

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1761415 points

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您好 Hugo、

感谢您分享更多信息。

您是对的、COM 端口本身不应该成为问题、但当它们连接到 ISOW 时、ISOW 的辐射会由于 COM 端口上的连接而增大。我还了解到、在 COM 端口上连接组件对于终端设备而言应该是必要的、并且不能消除。
实施使用 PCB 层形成的拼接电容器、即使在 COM 端口上进行连接、也应能使 PCB 满足辐射要求。

关于您的问题、

A1。很抱歉、混淆了、最近应用手册 SLLA368A 更新为 SLLA368B、在此更新期间、方程式中的格式似乎已损坏、并从方程式中删除了'a'和'd'之间的'/'符号。请使用 TIDA-00893用户指南中的公式。

答2. 根据层之间的间距对于客户的应用而言是可以接受的、因此客户需要为 D 保留合适的值。如果您能向我们分享客户隔离要求、我将能够提供更好的评价。
请注意、客户也可以增加(面积)以实现更高的 CI 值、尽管这会占用更多 PCB 空间。

答3. 关于图5和图13、您是否意味着询问客户是否同时需要铁氧体磁珠和共模扼流圈(CMC)？不需要、客户不需要两者。只有 CMC 才足够。
从客户排放测试结果来看、客户似乎不需要 CMC。使用大于50pF 值的拼接电容器应有助于显著降低辐射。

请建议客户实施建议、如果有任何疑问、请告知我们、谢谢。

此致、
Koteshwar Rao

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1761415 points

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您好、先生、

感谢您的支持、
我们将与客户核实。

Hugo。

0 admin 5 年多前

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您好、先生、

我们有4个来自客户的问题、

请向我分享您的建议吗？

Hugo

0 admin 5 年多前

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您好 Hugo、

我很乐意回答您的问题、请在下面找到我的意见。谢谢。

A1。如果所有三个器件共用输入和输出 GND、则 L 可以按照图片中所示的方式连续、无需将其拆分。

答2. CI 设计并非基于每个 COM 端口、而是用于器件 ISOW78xx。我知道每个 COM 端口的器件数量不同、因此不必按比例增加电容。拼接电容的安全值为50pF、如果每个拼接电容至少有50pF、则电路板应能产生良好的效果。如果可能、要实现更高的电容值、请随意实现更高的电容值、但不小于50pF。

答3. 看起来所有 COM 端口彼此隔离、如果是这样、则应根据客户希望在两者之间实现的隔离来确定它们之间的间隔。如果 COM 端口仅需要接地环路隔离、则间距不应非常关键。无论采用哪种方法、如果隔离要求不是很高、那么4mm 应该是一个合适的值。

A4。由于这是辐射发射测试、器件的存在或不存在将对 PCB 上观察到的总体结果产生影响。一个器件的发射不会对另一个器件产生任何影响。

此致、
Koteshwar Rao

0 admin 5 年多前

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您好、先生、

非常感谢、

我有一个来自客户的问题、

如果 GND 和 Vcc 堆叠方法更改为右图。

然后影响 CI 计算或性能？

Hugo

0 admin 5 年多前

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您好 Hugo、

您所示的两种实现是有效的、并产生与重叠区域(a)相同的电容值、层(d)和电介质材料之间的间距仍然相同。使用任一选项是很好的。谢谢。

此致、
Koteshwar Rao

0 admin 5 年多前

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您好、先生、

如果客户的两个 COM 端口使用一个通用 VCC 相似的红色区域，则两个 COM 端口使用一个通用 GND 相似的绿色区域，以获得更多 Ci >50pF。

这意味着 COM2和 COM3之间没有屏蔽。有任何风险？我们可以这么做吗？

Hugo

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1761415 points

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您好 Hugo、

如果客户电路板上有两个 COM 端口(COM2和 COM3)的通用 VCC 和 GND、并决定使用更大的公共区域来创建>50pF 的电容、那么这应该涵盖 COM2和 COM3中的所有器件、并且这两个端口可能不需要单独的拼接电容。
如果 COM1不与 COM2或 COM3共用 VCC 和 GND，那么 COM1将需要一个值大于50pF>的单独拼接电容器

这是否能回答您的问题？谢谢。

此致、
Koteshwar Rao

0 admin 5 年多前

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您好、先生、

感谢您的大力支持、

Hugo

隔离（参考译文帖）

隔离（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] ISOW7841：ISOW7841 EMI 问题