[参考译文] ISOW7821：封装和外壳之间的隔离

Josef 您好、

我不确定是否完全理解客户的问题。 我从您的帖子中了解到、客户需要最大(还是最小？)的隔离器 对于基本隔离、器件高度为3.0mm、我不确定它们是否需要基本隔离或增强型隔离、以及是否需要更高或更低的高度。 ISOW7821F 的高度为2.65mm、小于3.0mm、因此应满足客户要求。

如果我的理解有误、请务必详细说明您的问题和客户要求。 谢谢。

此致、
Koteshwar Rao

您好！

问题是 ISOW7821F 封装顶部与外壳之间的隔离(我们不讨论 IC 的内部隔离)。 如果封装顶部为基本绝缘、则我们可以使用该组件。 我们的要求：如果所用组件的顶部为基本绝缘、则其高度可以为3mm。 如果不是、则为2.5mm。 ISOW7821F 封装的高度为2.65mm

您好、Koti、

为了满足隔离准则、封装顶部和机箱之间需要有一定的气隙。 根据 ISOW7821F 向其封装顶部提供的隔离、此气隙可以更小或更大。 如果没有隔离、则气隙需要更大、并且可能的最大封装高度限制为2.5mm。 但是、如果 ISOW7821F 向封装顶部提供基本隔离、则气隙可能会更小、并且封装的最大高度为3.0mm。

如果在封装顶部有增强型隔离、则气隙可能会更小、但这在此处并不相关、因为 ISOW7821F 已安装在3.0mm 范围内。

希望这对您有所帮助。  

此致

Josef  

您好、User5262488、Josef、

感谢您澄清您的问题、我想我现在对它的理解更好。 为了使我们的讨论更简单并确保我们都在同一页上、我绘制了下面的图示。

该图显示了器件 ISOW7821F 的侧视图、其中器件的一侧为低电压(LV)、而另一侧为高电压(HV)。 器件 ISOW7821F 支持大于8mm 的间隙(如数据表所述)、但根据 HV 电池电压、我相信 LV 和 HV 之间应用的实际间隙要求远低于8mm、让我们将应用间隙要求称为 x1 (如图所示)。

HV 侧的器件引脚与顶部的底盘之间的间距也需要根据 LV/HV 间隙要求进行保持、以避免任何电弧。 因此、还需要将 x2保持为等于或大于 x1。

根据您的问题、我了解客户需要根据 ISOW7821F 支持的隔离级别(v1)确定 x3。 如果我的理解不正确、请更正。

我想告知、我们没有 v1的特征、因此我们没有 v1的引用值。 由于芯片和封装顶部之间存在模压混合物、因此该区域绝对是隔离的、但我们不知道该区域支持的隔离电压是多少、但可以说、该模压混合物隔离将远高于空气隔离。

由于需要将 x2保持为=> x1以支持 LV/HV 间隙要求、因此我可以推测、通过保持 x2 => x1为 x3实现的值已经满足 LV/HV 间隙要求。 这是因为芯片和器件封装顶部之间存在大量的模压混合物。 芯片到机箱间距支持的隔离电压预计会高于 HV 引脚到机箱支持的隔离电压。
请注意、这只是一个猜测、而不是一个诉求。

总之、我们推测、如果将 x2保持为等于或大于 x1以满足 LV/HV 间隙、则 x3已满足 LV/HV 间隙要求。 这意味着、制作 x2 => x1足以满足您的应用、您不必查看 x3。

请告诉我这有助于回答您的问题、谢谢。

此致、
Koteshwar Rao

您好、Koti、

封装内部是否有任何高度超过2.5mm 的带电部件？ (封装最大高度为2.65mm)
如果不是、我们就不用担心使用底部的组件。

谢谢和 BR、
KF