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[参考译文] SN6501-Q1：SN6501-Q1

admin
Guru**** 2455360 points
Other Parts Discussed in Thread: SN6501, SN6501-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/813611/sn6501-q1-sn6501-q1

器件型号：SN6501-Q1
主题中讨论的其他器件：SN6501、

我们希望使用 SN6501-Q1生成隔离辅助电源、此处提到、由于 MOSFET 导通电阻的正温度系数、SN6501的输出 FET 对 V-t 不平衡具有自校正效应、因此可以避免磁芯饱和。 我的问题是如何确保 Rdson 因电流不平衡导致的温升而变化的及时性、因为我们知道温升很慢。 因此、如果变压器的差异相对较大、如何解决该问题？

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    TI__Guru**** 2455360 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Shuailin、您好！

    欢迎访问 TI E2E 论坛。

    正如您所指出的、SN6501通过使 MOSFET 具有正温度共效导通电阻来实现自校正 V-t 不平衡、以避免磁芯饱和。 SN6501只能校正由于一个桥臂上的导通时间较长而导致的不平衡、而与其它桥臂上由于样本变化而可能发生的导通时间相比。 对于具有对称变压器构建的解决方案、我们不会期望任何进一步的不平衡、您不需要任何额外的组件。

    如果变压器不是对称构建的、那么 SN6501无法纠正产生的不平衡、我不知道有任何外部电路可以轻松解决这种不平衡问题。 我亦会尝试与同事核实是否有这方面的建议。 谢谢。

    此致、

    Koteshwar Rao